Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 650В; 20А; Idm: 100А

Немає в наявності
Код товару: WMZ36N65C4
231,25 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: WMZ36N65C4
Виробник: WAYON
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 16нКл
Корпус: DFN8x8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 650В
Опір в стані провідності: 97мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 277Вт
Струм стока: 20А
Струм стоку в імпульсі: 100А
Технологія: WMOS™ C4
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Резистор: thick film; 84,5Ом; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 84,5Ом; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; -55÷155°C

0,23 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Провід; HookUp Wire; тросик; Cu; 22AWG; PTFE; білий; 250В; 30,5м
Провід; HookUp Wire; тросик; Cu; 22AWG; PTFE; білий; 250В; 30,5м

3364,17 грн

Будова жили:
тросик
Вид жили:
Cu; сріблена
Вид кабелю:
HookUp Wire
Відповідність стандарту:
MIL-W-16878/6 (Type ET); NEMA HP3
Викрутка: рукоятка викрутки; з тріскачкою; 1/4"
Викрутка: рукоятка викрутки; з тріскачкою; 1/4"

1005,45 грн

Вид викрутки:
з тріскачкою
Розмір гнізда тримача - дюйм:
1/4"
Тип викрутка:
рукоятка викрутки
Недоступний
Резистор: thick film; 100Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; CQ; 75В
Резистор: thick film; 100Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; CQ; 75В

0,07 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
150В
Корпус - дюйм:
0603
Недоступний
Діод: TVS; 0,6кВт; 59,7В; 7,3А; односпрямована; ±5%; DO214AA; SZ1SMB
Діод: TVS; 0,6кВт; 59,7В; 7,3А; односпрямована; ±5%; DO214AA; SZ1SMB

42,45 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Допуск:
±5%
Зворотна напруга макс.:
51В
Недоступний
Діод: зенера; 1,5Вт; 18В; DO41; 50нА; Ufmax: 1,5В
Діод: зенера; 1,5Вт; 18В; DO41; 50нА; Ufmax: 1,5В

13310,96 грн

Допуск:
±1%
Зенерівська напруга:
18В
Корпус:
DO41
Монтаж:
THT
Недоступний
Резистор: thick film; 22Ом; SMD; 0612; 1Вт; ±1%; CRW; -55÷155°C
Резистор: thick film; 22Ом; SMD; 0612; 1Вт; ±1%; CRW; -55÷155°C

0,74 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0612
Корпус - мм:
1632
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 15А; Idm: 40А; 125Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 15А; Idm: 40А; 125Вт

397,87 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
34нКл
Корпус:
D3PAK; TO268
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 60В; 40А; Idm: 120А; 44Вт
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 60В; 40А; Idm: 120А; 44Вт

25,53 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
43нКл
Корпус:
FB (TO252AA)
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS4; польовий; 60В; 64А; Idm: 192А; 168Вт
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS4; польовий; 60В; 64А; Idm: 192А; 168Вт

45,62 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
77нКл
Корпус:
LF (MO235B similar)
Транзистор: N-JFET; польовий; 80мА; 0,35Вт; SuperSOT-3; Igt: 10мА
Транзистор: N-JFET; польовий; 80мА; 0,35Вт; SuperSOT-3; Igt: 10мА

38,01 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SuperSOT-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
-25В
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 60В; 0,17А; Idm: 0,9А; ESD
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 60В; 0,17А; Idm: 0,9А; ESD

5,07 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
1нКл
Корпус:
SOT23; TO236AB
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M5; польовий; 650В; 5,6А; Idm: 36А
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M5; польовий; 650В; 5,6А; Idm: 36А

149,52 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
17нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 270мА; Idm: 5А; 420мВт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 270мА; Idm: 5А; 420мВт; SOT23

14,57 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
0,7нКл
Корпус:
SOT23