1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N THT

Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ M3; польовий; 800В; 6,8А; 55Вт; TO262

Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ M3; польовий; 800В; 6,8А; 55Вт; TO262
Немає в наявності
Код товару: WMN07N80M3
25,34 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: WMN07N80M3
Виробник: WAYON
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Корпус: TO262
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 800В
Опір в стані провідності: 1,8Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 55Вт
Струм стока: 6,8А
Технологія: WMOS™ M3
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Резистор: thick film; 267Ом; SMD; 2010; 500мВт; ±1%; HQ; 200В
Резистор: thick film; 267Ом; SMD; 2010; 500мВт; ±1%; HQ; 200В

3,67 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2010
Недоступний
Дисплей: LED; 7-сегментний; 7,6мм; 0,3"; Кільк.зн: 2; зелений; анод
Дисплей: LED; 7-сегментний; 7,6мм; 0,3"; Кільк.зн: 2; зелений; анод

73,49 грн

Вид дисплея:
7-сегментний
Висота знаку:
7,6мм, 0,3"
Довжина хвилі λd:
568нм
К-ть знаків:
2
Недоступний
Резистор: thick film; 18Ом; SMD; 0402; 333мВт; ±1%; SG73P; 75В
Резистор: thick film; 18Ом; SMD; 0402; 333мВт; ±1%; SG73P; 75В

0,39 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
100В
Корпус - дюйм:
0402
Недоступний
Конденсатор: танталово-полімерний; 10мкФ; 35ВDC; 1000мА; SMD; ±20%
Конденсатор: танталово-полімерний; 10мкФ; 35ВDC; 1000мА; SMD; ±20%

52,58 грн

Допуск:
±20%
Ємність:
10мкФ
Імпеданс:
0,12Ом
Монтаж:
SMD
Провід; HookUp Wire; тросик; Cu; 16AWG; ПВХ; чорний; 300В; 30,5м
Провід; HookUp Wire; тросик; Cu; 16AWG; ПВХ; чорний; 300В; 30,5м

2173,72 грн

Iнформація:
Маркування UL лише на повній заводській упаковці
Будова жили:
тросик
Вид жили:
Cu; луджена
Вид кабелю:
HookUp Wire
Недоступний
Резистор: thick film; 1,13кОм; SMD; 0603; 60мВт; ±1%; CQ; 75В
Резистор: thick film; 1,13кОм; SMD; 0603; 60мВт; ±1%; CQ; 75В

0,07 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
150В
Корпус - дюйм:
0603
Провід; HELUTHERM® 145 MULTI; 7x0,25мм2; тросик; Cu; PO; чорний
Провід; HELUTHERM® 145 MULTI; 7x0,25мм2; тросик; Cu; PO; чорний

234,41 грн

Будова екрану:
екранований; обплітка з луджених мідних дротів
Будова жили:
тросик
Вид жили:
Cu; луджена
Вид матеріалу:
не поширює полум'я
Транзистор: N-MOSFET; 700В; 6А; Idm: 12,8А; TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; 700В; 6А; Idm: 12,8А; TO220FP

43,97 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
6,8нКл
Корпус:
TO220FP
Напруга сток-джерело:
700В
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ II; польовий; 60В; 42А; 110Вт
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ II; польовий; 60В; 42А; 110Вт

112,77 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO220-3
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; 900В; 36А; Idm: 96А; 417Вт; TO247
Транзистор: N-MOSFET; 900В; 36А; Idm: 96А; 417Вт; TO247

1141,66 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
0,27мкКл
Корпус:
TO247
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ II; польовий; 500В; 3А; 45Вт; TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ II; польовий; 500В; 3А; 45Вт; TO220-3

124,81 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO220-3
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; 600В; 18А; 72Вт
Транзистор: N-MOSFET; 600В; 18А; 72Вт

87,43 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
42нКл
Монтаж:
THT
Напруга затвор-джерело:
±30В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 30,8А; 230Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 30,8А; 230Вт; TO220AB

232,51 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
86нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; 100В; 69Вт
Транзистор: N-MOSFET; 100В; 69Вт

159,66 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
73нКл
Монтаж:
THT
Напруга сток-джерело:
100В