1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N THT

Транзистор: N-MOSFET; X-Class; польовий; 850В; 3,5А; Idm: 10А; 150Вт

Транзистор: N-MOSFET; X-Class; польовий; 850В; 3,5А; Idm: 10А; 150Вт
Термін постачання: 3 тижні
Код товару: IXFP4N85X
266,73 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: IXFP4N85X
Виробник: IXYS
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Властивості напівпровідникових елементів: ultra junction x-class
Заряд затвора: 7нКл
Корпус: TO220AB
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 850В
Опір в стані провідності: 2,5Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 150Вт
Струм стока: 3,5А
Струм стоку в імпульсі: 10А
Технологія: HiPerFET™; X-Class
Тип транзистора: N-MOSFET
Час готовності: 170нс
Провід; Alpha Essential C&C; 3x28AWG; ПВХ; темно-сірий; 600В
Провід; Alpha Essential C&C; 3x28AWG; ПВХ; темно-сірий; 600В

4679,43 грн

Будова екрану:
екранований; обплітка з луджених мідних дротів
Будова жили:
тросик
Вид жили:
Cu; луджена
Відповідність стандарту:
MIL-W-16878 (Type B)
Недоступний
Мікроперемикач SNAP ACTION; 10A/250ВAC; без важеля; SPST-NO
Мікроперемикач SNAP ACTION; 10A/250ВAC; без важеля; SPST-NO

167,26 грн

Виводи:
до лютування
Властивості перемикачів:
без важеля
Кількість всіх позицій:
2
Кількість фіксованих позицій:
1
Недоступний
Резистор: thick film; 160Ом; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 160Ом; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; -55÷155°C

0,23 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
M12; PIN: 5; штекерний,прямий; неекранований,прямий; 4А; SAIL; PUR
M12; PIN: 5; штекерний,прямий; неекранований,прямий; 4А; SAIL; PUR

588,57 грн

Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 100пФ; 450В; C0G (NP0); ±5%; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 100пФ; 450В; C0G (NP0); ±5%; SMD

4,94 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
178мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Недоступний
IC: контролер Еthernet; SPI; 10Base-T; Uробоча: 3,1÷3,6В; туба
IC: контролер Еthernet; SPI; 10Base-T; Uробоча: 3,1÷3,6В; туба

190,07 грн

Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
PHY
Інтерфейс:
SPI
Категорія Ethernet:
10Base-T
Недоступний
M12; штекерний,прямий,гніздовий; екранований,кутовий,прямий; 4А
M12; штекерний,прямий,гніздовий; екранований,кутовий,прямий; 4А

2631,15 грн

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 80А; 200Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 80А; 200Вт; TO220AB

102,64 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
146нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 400В; 1,2А; Idm: 6А; 36Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 400В; 1,2А; Idm: 6А; 36Вт; TO220AB

62,72 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
17нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 39А; Idm: 171А; 454Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 39А; Idm: 171А; 454Вт

658,90 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
115нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 98А; 150Вт; TO247AC
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 98А; 150Вт; TO247AC

138,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
113,3нКл
Корпус:
TO247AC
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 66А; Idm: 370А; 520Вт; TO247AC
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 66А; Idm: 370А; 520Вт; TO247AC

352,89 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
180нКл
Корпус:
TO247AC
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 4,9А; 190Вт; TO247AC
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 4,9А; 190Вт; TO247AC

273,06 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
200нКл
Корпус:
TO247AC
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 600В; 1,6А; Idm: 7А; 18Вт
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 600В; 1,6А; Idm: 7А; 18Вт

44,98 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
2,8нКл
Корпус:
TO220FP