Транзистор: N-MOSFET; X2-Class; польовий; 650В; 150А; 1560Вт; 260нс

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: IXFB150N65X2
1537,00 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: IXFB150N65X2
Виробник: IXYS
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 355нКл
Корпус: PLUS264™
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 650В
Опір в стані провідності: 17мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 1,56кВт
Струм стока: 150А
Технологія: HiPerFET™; X2-Class
Тип транзистора: N-MOSFET
Час готовності: 260нс
PIN: 4; чорний; луджений; 3,5мм; 16AWG
PIN: 4; чорний; луджений; 3,5мм; 16AWG

354,79 грн

Діаметр жили:
16AWG
Кількість пін:
4
Колір ізоляції:
чорний
Покриття контакту:
луджений
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 10; SMT; 3A; 100V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 10; SMT; 3A; 100V

90,60 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
SMT
Недоступний
Резистор: thick film; 232Ом; SMD; 2817; 4Вт; ±1%; SP; 250В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 232Ом; SMD; 2817; 4Вт; ±1%; SP; 250В; -55÷155°C

15,52 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2817
Корпус - мм:
7142
Недоступний
Діод: випрямний; THT; 200В; 5Аx2; TO220FPAB; туба; Ufmax: 0,975В
Діод: випрямний; THT; 200В; 5Аx2; TO220FPAB; туба; Ufmax: 0,975В

47,52 грн

Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
ультрашвидке перемикання
Зворотна напруга макс.:
200В
Корпус:
TO220FPAB
Недоступний
Резистор: thin film; 172Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,5%; MCT0603; 0
Резистор: thin film; 172Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,5%; MCT0603; 0

1,22 грн

Діаметр роліка макс.:
330мм
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Резистор: thin film; 232кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±0,1%; ERA8PPB
Резистор: thin film; 232кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±0,1%; ERA8PPB

49,42 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
IC: Oпераційний підсилювач; 2,5МГц; Ch: 1; SO8; 10мкВ; туба
IC: Oпераційний підсилювач; 2,5МГц; Ch: 1; SO8; 10мкВ; туба

178,66 грн

Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
rail-to-rail; zero-drift
Вхідна напруга зміщення нуля:
10мкВ
Вхідний поляризаційний струм:
0,3нА
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 18,9А; 313Вт; TO247
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 18,9А; 313Вт; TO247

603,78 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO247
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ II; польовий; 600В; 28А; 330Вт; TO247
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ II; польовий; 600В; 28А; 330Вт; TO247

455,53 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO247
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ II; польовий; 600В; 12,6А; 140Вт
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ II; польовий; 600В; 12,6А; 140Вт

306,01 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO220-3
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; 150В; 171А; Idm: 684А; 517Вт; TO247
Транзистор: N-MOSFET; 150В; 171А; Idm: 684А; 517Вт; TO247

947,80 грн

Вид каналу:
збагачений
Використання:
автомобільна галузь
Корпус:
TO247
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 12,9А; 38,5Вт; TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 12,9А; 38,5Вт; TO220FP

214,77 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
65нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; 650В; 35А; 102Вт; TO3PF
Транзистор: N-MOSFET; 650В; 35А; 102Вт; TO3PF

475,80 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
110нКл
Корпус:
TO3PF
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; RF; 130В; 40А; 500Вт; M244; 17дБ; 61%
Транзистор: N-MOSFET; польовий; RF; 130В; 40А; 500Вт; M244; 17дБ; 61%

9065,52 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
RF
Вид упаковки:
туба
Вихідна потужність:
350Вт