1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори багатоканальні

Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 100В; 12А; Idm: 36А; 50Вт

Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 100В; 12А; Idm: 36А; 50Вт
Немає в наявності
Код товару: P12LF10SLKD-5071
57,65 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: P12LF10SLKD-5071
Виробник: SHINDENGEN
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 32нКл
Корпус: LF (MO235B similar)
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±10В
Напруга сток-джерело: 100В
Опір в стані провідності: 42мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 50Вт
Струм стока: 12А
Струм стоку в імпульсі: 36А
Тип транзистора: N-MOSFET x2
Connector: Micro-MaTch; plug; male; data; PIN: 12; IDC; 2x6; 1.27mm
Connector: Micro-MaTch; plug; male; data; PIN: 12; IDC; 2x6; 1.27mm

51,13 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
відрізні з бобіни
Електричний монтаж:
IDC
Недоступний
Резистор: thick film; 2,87кОм; 0805; 500мВт; ±1%; ERJP06F
Резистор: thick film; 2,87кОм; 0805; 500мВт; ±1%; ERJP06F

1,51 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Опір:
2,87кОм
Недоступний
Резистор: thick film; 1кОм; SMD; 0402; 200мВт; ±1%; ERJPA2F
Резистор: thick film; 1кОм; SMD; 0402; 200мВт; ±1%; ERJPA2F

0,00 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Недоступний
Конденсатор: електролітичний; THT; 47мкФ; 10ВDC; Ø4,5x10мм; ±20%
Конденсатор: електролітичний; THT; 47мкФ; 10ВDC; Ø4,5x10мм; ±20%

31,74 грн

Виводи:
осьові
Висота:
10мм
Діаметр:
4,5мм
Допуск:
±20%
Блок живлення: імпульсний; LED; DALI; 30Вт; 24,2ВDC; 220÷240ВAC
Блок живлення: імпульсний; LED; DALI; 30Вт; 24,2ВDC; 220÷240ВAC

1416,63 грн

Вид блоку живлення:
LED
Використання:
LED
Вихідна напруга:
24,2В DC
Електричне під'єднування:
затискна рейка
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 47А; Idm: 296А; 80,6Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 47А; Idm: 296А; 80,6Вт

53,22 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
29нКл
Корпус:
PDFN5060-8
Недоступний
Резистор: вуглецевий; 620Ом; SMD; MELF; 0207; 1Вт; ±2%; 500В; L: 5,8мм
Резистор: вуглецевий; 620Ом; SMD; MELF; 0207; 1Вт; ±2%; 500В; L: 5,8мм

5,45 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр:
2,2мм
Діаметр роліка макс.:
180мм
Довжина:
5,8мм
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 8А; 2Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 8А; 2Вт; SO8

118,47 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 30/-30В; 2,3/-2А; 0,5Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 30/-30В; 2,3/-2А; 0,5Вт

47,52 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TSOP-6
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 1,3Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 1,3Вт

38,65 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Заряд затвора:
2,55/4,6нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 100В; 3А; 1,3Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 100В; 3А; 1,3Вт; SO8

40,55 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
3нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 2,5Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 2,5Вт

51,32 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 13 дюймів
Корпус:
SO8
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 35/-35В; 1,54Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 35/-35В; 1,54Вт

69,06 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 13 дюймів
Корпус:
TO252-4
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -50В; -0,1А; 445мВт
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -50В; -0,1А; 445мВт

10,77 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
0,35нКл
Корпус:
SC88; SOT363; TSSOP6