Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 100В; 3А; Idm: 12А; 2Вт; SOP8; ESD

Немає в наявності
Код товару: SH8K52GZETB
47,52 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: SH8K52GZETB
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 8,5нКл
Корпус: SOP8
Модель: ESD
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 100В
Опір в стані провідності: 0,19Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 2Вт
Струм стока: 3А
Струм стоку в імпульсі: 12А
Тип транзистора: N-MOSFET x2
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 9,5пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,1пФ; 0201
Конденсатор: керамічний; MLCC; 9,5пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,1пФ; 0201

0,27 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
9,5пФ
Дисплей: LED; 7-сегментний; 56,9мм; 2,3"; Кільк.зн: 1; червоний
Дисплей: LED; 7-сегментний; 56,9мм; 2,3"; Кільк.зн: 1; червоний

655,09 грн

Вид дисплея:
7-сегментний
Висота знаку:
56,9мм, 2,3"
Довжина хвилі λd:
630нм
К-ть знаків:
1
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 82пФ; 50В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; MLCC; 82пФ; 50В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0603

0,95 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
178мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Недоступний
Резистор: thin film; 18,2кОм; SMD; 0805; 125мВт; ±0,1%; ERA6AEB
Резистор: thin film; 18,2кОм; SMD; 0805; 125мВт; ±0,1%; ERA6AEB

1,74 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Імпульсна макс. напруга:
200В
Корпус - дюйм:
0805
Недоступний
Резистор: thin film; 56,2кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±1%; MCT0603; 0
Резистор: thin film; 56,2кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±1%; MCT0603; 0

0,58 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±1%
Кількість в наборі/упаковці:
5000шт.
Корпус - дюйм:
0603
Недоступний
Connector: Special D-Sub; PIN: 7(2+5); female; data transfer; THT
Connector: Special D-Sub; PIN: 7(2+5); female; data transfer; THT

1065,64 грн

Connector family:
data transfer
Вид роз’єму:
гніздовий
Електричний монтаж:
THT
Кількість пін:
7 (2+5)
Недоступний
Резистор: thick film; 392Ом; 2512; 1Вт; ±5%; CRT; -55÷155°C; 2А
Резистор: thick film; 392Ом; 2512; 1Вт; ±5%; CRT; -55÷155°C; 2А

0,59 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
2512
Корпус - мм:
6332
Опір:
392Ом
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 20/-20В; 1А/-700мА; 350мВт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 20/-20В; 1А/-700мА; 350мВт

21,54 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
1,6/2,2нКл
Корпус:
SOT363
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 6А; Idm: 25А; 1,5Вт; SOT23-6
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 6А; Idm: 25А; 1,5Вт; SOT23-6

22,17 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
12нКл
Корпус:
SOT23-6
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 65В; 40А; Idm: 160А; 27,8Вт
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 65В; 40А; Idm: 160А; 27,8Вт

51,95 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
22,1нКл
Корпус:
PDFN5060-8
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 40/-40В; 10/-8А; 3Вт; SOP8
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 40/-40В; 10/-8А; 3Вт; SOP8

25,98 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
26/30нКл
Корпус:
SOP8
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 40/-40В; 1,6Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 40/-40В; 1,6Вт

55,12 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 13 дюймів
Корпус:
TO252-4
1,5А; Канал: збагачений; 500мВт
1,5А; Канал: збагачений; 500мВт

8,74 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
6,4нКл
Монтаж:
SMD
Потужність розсіювання:
0,5Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; 45В; 4,5А; SOP8
Транзистор: N/P-MOSFET; 45В; 4,5А; SOP8

51,32 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
SOP8
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В