1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори багатоканальні

Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 12В; 8А; 450мВт; CSP6; ESD

Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 12В; 8А; 450мВт; CSP6; ESD
Термін постачання: 3 тижні
Код товару: WM6C61042A
27,24 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: WM6C61042A
Виробник: WAYON
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 34нКл
Корпус: CSP6
Модель: ESD
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±10В
Напруга сток-джерело: 12В
Опір в стані провідності: 5,3мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 0,45Вт
Структура напівпровідника: загальний дренаж
Струм стока: 8А
Тип транзистора: N-MOSFET x2
Недоступний
Резистор: thin film; 3,3Ом; THT; 1Вт; ±1%; Ø3,7x10мм; осьові; L: 10мм
Резистор: thin film; 3,3Ом; THT; 1Вт; ±1%; Ø3,7x10мм; осьові; L: 10мм

25,66 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
3,7мм
Довжина:
10мм
Допуск:
±1%
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 29; THT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 29; THT; 3A; 250V

150,79 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Висота:
8,6мм
Резисторна зборка: X; Кіл-ть резисторів: 9
Резисторна зборка: X; Кіл-ть резисторів: 9

6,84 грн

Кількість резисторів:
9
Тип резисторної зборки:
X
Резистор: дротяний; 3,8Ом; 10Вт; ±1%; -65÷250°C; 50ppm/°C; осьові
Резистор: дротяний; 3,8Ом; 10Вт; ±1%; -65÷250°C; 50ppm/°C; осьові

109,60 грн

Виводи:
осьові
Допуск:
±1%
Опір:
3,8Ом
Потужність:
10Вт
Недоступний
IC: мікроконтролер PIC; 32кБ; 32МГц; THT; DIP20; PIC24; туба
IC: мікроконтролер PIC; 32кБ; 32МГц; THT; DIP20; PIC24; туба

222,38 грн

Вид архітектури:
Harvard 16бит
Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
Brown Out Reset (BOR); HLVD; RTCC; watchdog
Інтерфейс:
ADC; I2C x2; IrDA; LIN; PWM; RS232; RS485; SPI x2; UART x2
Недоступний
Трансформатор: струмовий; Iвх: 1кА; Iвих: 5А; пригвинчуваний
Трансформатор: струмовий; Iвх: 1кА; Iвих: 5А; пригвинчуваний

10325,66 грн

Вихідний струм:
5А
Відповідність стандарту:
EN 60044-1
Властивості вимірювальних аксесуарів:
ядро з застібкою
Вхідний струм:
1кА
Недоступний
IC: мікроконтролер ARM; 64кБSRAM,256кБFLASH; LQFP100; KINETIS
IC: мікроконтролер ARM; 64кБSRAM,256кБFLASH; LQFP100; KINETIS

587,94 грн

Вид архітектури:
Cortex M4
Інтерфейс:
CAN; I2C x2; I2S; SPI x2; UART x5; USB OTG
Кількість входів/виходів:
64
Корпус:
LQFP100
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 8А; 2Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 8А; 2Вт; SO8

118,47 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 30/-30В; 2,3/-2А; 0,5Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 30/-30В; 2,3/-2А; 0,5Вт

47,52 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TSOP-6
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 1,3Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 1,3Вт

38,65 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Заряд затвора:
2,55/4,6нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 100В; 3А; 1,3Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 100В; 3А; 1,3Вт; SO8

40,55 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
3нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 2,5Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 2,5Вт

51,32 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 13 дюймів
Корпус:
SO8
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 35/-35В; 1,54Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 35/-35В; 1,54Вт

69,06 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 13 дюймів
Корпус:
TO252-4
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -50В; -0,1А; 445мВт
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -50В; -0,1А; 445мВт

10,77 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
0,35нКл
Корпус:
SC88; SOT363; TSSOP6