1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори багатоканальні

Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 4,1А; 0,73Вт; U-DFN2020-6

Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 4,1А; 0,73Вт; U-DFN2020-6
Немає в наявності
Код товару: DMN2050LFDB-7
32,94 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: DMN2050LFDB-7
Виробник: DIODES INCORPORATED
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик 7 дюймів
Корпус: U-DFN2020-6
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±12В
Напруга сток-джерело: 20В
Опір в стані провідності: 55мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 0,73Вт
Струм стока: 4,1А
Тип транзистора: N-MOSFET x2
Недоступний
Провід; Xtra Guard® Flex; 18x18AWG; неекранований; 600В; 30,5м; Cu
Провід; Xtra Guard® Flex; 18x18AWG; неекранований; 600В; 30,5м; Cu

40001,32 грн

Будова екрану:
неекранований
Будова жили:
тросик
Вид жили:
Cu
Відповідність стандарту:
C(uL) AWM I/II A/B FT1; UL 2587
Недоступний
Роз’єм: M8; гніздо; PIN: 3; штекерний; промислова; M8 ALTW; проводи
Роз’єм: M8; гніздо; PIN: 3; штекерний; промислова; M8 ALTW; проводи

205,90 грн

Connector family:
промислова
Вид роз’єму:
штекерний
Довжина проводу:
0,15м
Електричний монтаж:
проводи
Недоступний
Резистор: thick film; 11Ом; SMD; 0603; 125мВт; ±1%; ERJH3EF
Резистор: thick film; 11Ом; SMD; 0603; 125мВт; ±1%; ERJH3EF

1,53 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Резистор: thin film; 10Ом; SMD; 1210; 250мВт; ±1%; RN73R; 200В
Резистор: thin film; 10Ом; SMD; 1210; 250мВт; ±1%; RN73R; 200В

8,24 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
400В
Корпус - дюйм:
1210
Недоступний
Конденсатор: керамічний; 150пФ; 500В; C0G (NP0); ±10%; SMD; 1206
Конденсатор: керамічний; 150пФ; 500В; C0G (NP0); ±10%; SMD; 1206

1,88 грн

Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±10%
Ємність:
0,15нФ
Корпус - дюйм:
1206
Недоступний
IC: пам'ять SRAM; 2Кx8бит; 2,7÷3,6В; DIP8; -40÷125°C; туба; 400нс
IC: пам'ять SRAM; 2Кx8бит; 2,7÷3,6В; DIP8; -40÷125°C; туба; 400нс

57,65 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Вид упаковки:
туба
Корпус:
DIP8
Робоча напруга:
2,7...3,6В
Недоступний
Реле: встановлювальний; бістабільне,імпульсний; NO x2; 8А; IP20
Реле: встановлювальний; бістабільне,імпульсний; NO x2; 8А; IP20

1232,26 грн

Клас герметичності:
IP20
Конфігурація контактів:
NO x2
Модель реле:
бістабільне; імпульсний
Монтаж:
для вбудованого монтажу
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 20/-20В; 0,9Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 20/-20В; 0,9Вт

50,68 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SuperSOT-6
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -30В; -7А; 1,3Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -30В; -7А; 1,3Вт; SO8

39,28 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
30нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 20/-20В; 0,7Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 20/-20В; 0,7Вт

13,94 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Заряд затвора:
8,5/2,9нКл
Корпус:
TSOP6
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 0,31А; 410мВт
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 0,31А; 410мВт

12,04 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
1,05нКл
Корпус:
SC88; SOT363; TSSOP6
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 2,7А; 0,96Вт; SuperSOT-6
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 2,7А; 0,96Вт; SuperSOT-6

46,88 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
5нКл
Корпус:
SuperSOT-6
Транзистор: N-MOSFET x2; PolarHV™; польовий; 500В; 13А; Idm: 55А
Транзистор: N-MOSFET x2; PolarHV™; польовий; 500В; 13А; Idm: 55А

791,31 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
50нКл
Корпус:
ISOPLUS i4-pac™ x024a
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 0,212А; 0,25Вт
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 0,212А; 0,25Вт

18,37 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SC70-6; SC88; SOT363
Монтаж:
SMD