1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори багатоканальні

Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 5,3А; 1,6Вт; DFN8

Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 5,3А; 1,6Вт; DFN8
Немає в наявності
Код товару: AON3814
18,31 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Крок додавання: 3000
Код товару: AON3814
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Заряд затвора: 11нКл
Корпус: DFN8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±12В
Напруга сток-джерело: 20В
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 1,6Вт
Структура напівпровідника: загальний дренаж
Струм стока: 5,3А
Тип транзистора: N-MOSFET x2
Недоступний
Резистор: thick film; 3,48Ом; SMD; 2817; 4Вт; ±1%; SP; 250В
Резистор: thick film; 3,48Ом; SMD; 2817; 4Вт; ±1%; SP; 250В

20,27 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2817
Корпус - мм:
7142
Недоступний
Трансформатор: струмовий; Iвх: 400А; Iвих: 1А; Øвнутр: 36мм; 50÷60Гц
Трансформатор: струмовий; Iвх: 400А; Iвих: 1А; Øвнутр: 36мм; 50÷60Гц

2678,03 грн

Вихідний струм:
1А
Відповідність стандарту:
BS 3839; EN 60044-1; EN 61869-1
Вхідний струм:
400А
Діаметр внутрішній:
36мм
Датчик: фотоелектричний; Дальність: 0÷5м; PNP; DARK-ON,LIGHT-ON
Датчик: фотоелектричний; Дальність: 0÷5м; PNP; DARK-ON,LIGHT-ON

6179,05 грн

Властивості датчиків:
Рефлектор замовляється окремо.
Дальність:
0...5м
Зовнішні розміри:
11x20x41,6мм
Кількість пін:
3
Резистор: thick film; 2,7кОм; 0402; 63мВт; ±5%; AF; 1x0,5мм
Резистор: thick film; 2,7кОм; 0402; 63мВт; ±5%; AF; 1x0,5мм

0,12 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
0402
Опір:
2,7кОм
Резистор: thin film; 1кОм; SMD; 0603; 62,5мВт; ±0,1%; -55÷155°C
Резистор: thin film; 1кОм; SMD; 0603; 62,5мВт; ±0,1%; -55÷155°C

14,57 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Test probe: screw-in; 5A; Ø: 0.65mm; T-112; CuBe; 2.25N; screw-in
Test probe: screw-in; 5A; Ø: 0.65mm; T-112; CuBe; 2.25N; screw-in

509,38 грн

Type of test probe:
screw-in
Вигин пружини макс.:
5мм
Діаметр наконечника:
0,65мм
Матеріал контакту:
cube
Недоступний
Конденсатор: поліпропиленовий; ECWF; 0,22мкФ; 630ВDC; THT; ±5%
Конденсатор: поліпропиленовий; ECWF; 0,22мкФ; 630ВDC; THT; ±5%

10,45 грн

Допуск:
±5%
Ємність:
0,22мкФ
Монтаж:
THT
Растр виводів:
7,5мм
Транзистор: N-MOSFET x2; STripFET™ II; польовий; 20В; 5А; 1,6Вт
Транзистор: N-MOSFET x2; STripFET™ II; польовий; 20В; 5А; 1,6Вт

12,04 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 55/-55В; 4,7/-3,4А; 2Вт; SO8
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 55/-55В; 4,7/-3,4А; 2Вт; SO8

77,29 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 20/-20В; 1,5/-1,5А; 0,5Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 20/-20В; 1,5/-1,5А; 0,5Вт

44,35 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TSOP-6
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±12В
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 40В; 8А; 1,3Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 40В; 8А; 1,3Вт; SO8

46,25 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
13,6нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 60/-60В
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 60/-60В

49,42 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Заряд затвора:
3,8/7,4нКл
Корпус:
TO252-4
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 2,5Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 2,5Вт

51,32 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 13 дюймів
Корпус:
SO8
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 35/-35В; 1,54Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 35/-35В; 1,54Вт

69,06 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 13 дюймів
Корпус:
TO252-4