Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 500мА; SOT563

Немає в наявності
Код товару: PJX8802_R1_00001
25,98 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: PJX8802_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Корпус: SOT563
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: 10В
Напруга сток-джерело: 20В
Поляризація: польовий
Струм стока: 0,5А
Тип транзистора: N-MOSFET x2
Недоступний
IC: мікроконтролер dsPIC; 12кБ; 512БSRAM; QFN28; 3,3÷5ВDC; DSPIC
IC: мікроконтролер dsPIC; 12кБ; 512БSRAM; QFN28; 3,3÷5ВDC; DSPIC

359,22 грн

Вид архітектури:
Harvard 16бит
Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
PoR; watchdog
Інтерфейс:
ADC; I2C; IrDA; LIN; PWM; RS232; RS485; SPI; UART
Конденсатор: керамічний; 150нФ; 10ВDC; U2J; ±5%; SMD; 1206
Конденсатор: керамічний; 150нФ; 10ВDC; U2J; ±5%; SMD; 1206

20,46 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діелектрик:
U2J
Допуск:
±5%
Ємність:
0,15мкФ
Недоступний
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 950В; 1,4А; 22Вт; IPAK; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 950В; 1,4А; 22Вт; IPAK; ESD

23,76 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
6нКл
Корпус:
IPAK
Недоступний
Test probe: ICT/FCT; 8A; Ø: 1.8mm; GKS-113; CuBe; 3N; push-in; 100mΩ
Test probe: ICT/FCT; 8A; Ø: 1.8mm; GKS-113; CuBe; 3N; push-in; 100mΩ

307,91 грн

Type of test probe:
ICT/FCT
Вигин пружини макс.:
5,3мм
Властивості вимірювальних аксесуарів:
немагнітні
Діаметр наконечника:
1,8мм
Недоступний
IC: пам'ять FLASH; 1ГбFLASH; CFI,SPI; 80МГц; 2,7÷3,6В; SOIC16
IC: пам'ять FLASH; 1ГбFLASH; CFI,SPI; 80МГц; 2,7÷3,6В; SOIC16

884,44 грн

Вид пам’яті:
NOR
Вид упаковки:
лоток
Інтерфейс:
CFI; SPI
Корпус:
SOIC16
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 34; SMT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 34; SMT; 3A; 250V

281,30 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
SMT
Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; польовий; 20В; 6,7А; Idm: 30А
Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; польовий; 20В; 6,7А; Idm: 30А

94,40 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
33нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 250мА; Idm: 1А; 150мВт; UMT6
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 250мА; Idm: 1А; 150мВт; UMT6

26,61 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
UMT6
Модель:
ESD
Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30/-30В; 1,5Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30/-30В; 1,5Вт

34,85 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
1,6/1,4нКл
Корпус:
SC70-6; SOT363
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 50/-60В; 360/-200мА; 300мВт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 50/-60В; 360/-200мА; 300мВт

16,47 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
0,95/1,1нКл
Корпус:
SOT563
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 20/-20В; 750/-660мА; 200мВт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 20/-20В; 750/-660мА; 200мВт

20,27 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
1/2,2нКл
Корпус:
SOT363
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 40В; 15А; Idm: 60А; 11,36Вт
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 40В; 15А; Idm: 60А; 11,36Вт

32,31 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
10,4нКл
Корпус:
PDFN3030-8
4А; Канал: збагачений; 1Вт
4А; Канал: збагачений; 1Вт

18,25 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
3,2нКл
Монтаж:
SMD
Потужність розсіювання:
1Вт