Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 6А; Idm: 50А; 1,71Вт

Немає в наявності
Код товару: DMN2024UFU-7
47,52 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: DMN2024UFU-7
Виробник: DIODES INCORPORATED
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик 7 дюймів
Заряд затвора: 14,8нКл
Корпус: U-DFN2030-6
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±10В
Напруга сток-джерело: 20В
Опір в стані провідності: 23,5мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 1,71Вт
Струм стока: 6А
Струм стоку в імпульсі: 50А
Тип транзистора: N-MOSFET x2
Діод: випрямний Шотткі; D2PAK; SMD; 150В; 10Аx2; ролик,cтрічка
Діод: випрямний Шотткі; D2PAK; SMD; 150В; 10Аx2; ролик,cтрічка

89,96 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Зворотна напруга макс.:
150В
Корпус:
D2PAK
Монтаж:
SMD
Недоступний
Датчик: індуктивний; OUT: PNP / NC; 5мм; 10÷35ВDC; M18; 5м; IP65
Датчик: індуктивний; OUT: PNP / NC; 5мм; 10÷35ВDC; M18; 5м; IP65

16094,80 грн

Вид голівки:
екранований
Дальність:
5мм
Довжина відводів:
5м
Довжина гвинта:
60мм
Недоступний
Диференційний вимикач; Iном: 20А; Iдіф: 100мА; Полюси: 3+N; IP20
Диференційний вимикач; Iном: 20А; Iдіф: 100мА; Полюси: 3+N; IP20

9325,91 грн

Вид вимикача:
тип A
Відключаюча здатність кор. замикання:
10кА
Диференціальний струм:
0,1А
Кількість полюсів:
3+N
Недоступний
Реактор: дротяний; SMD; 1210; 470нГн; 1600мА; R: 0,036Ом; ±30%; LQH
Реактор: дротяний; SMD; 1210; 470нГн; 1600мА; R: 0,036Ом; ±30%; LQH

5,01 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±30%
Індуктивність:
0,47мкГн
Корпус - дюйм:
1210
Конденсатор: керамічний; MLCC; 10мкФ; 16В; X5R; ±20%; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; MLCC; 10мкФ; 16В; X5R; ±20%; SMD; 0603

10,77 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X5R
Допуск:
±20%
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 9,9пФ; 100В; C0G (NP0); ±0,5пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 9,9пФ; 100В; C0G (NP0); ±0,5пФ; SMD

0,12 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
9,9пФ
Недоступний
Конденсатор: поліпропиленовий; ECWH; 0,0027мкФ; 2кВDC; THT; ±3%
Конденсатор: поліпропиленовий; ECWH; 0,0027мкФ; 2кВDC; THT; ±3%

16,03 грн

Допуск:
±3%
Ємність:
2,7нФ
Монтаж:
THT
Растр виводів:
10мм
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -60В; -2А; 2Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -60В; -2А; 2Вт; SO8

43,08 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
13нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 30/-30В; 1,4/-1,5А; 0,5Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 30/-30В; 1,4/-1,5А; 0,5Вт

39,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TSOP-6
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -30В; -4А; 1,3Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -30В; -4А; 1,3Вт; SO8

13,75 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
4,6нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 0,73Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 0,73Вт

29,14 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Заряд затвора:
4,7/2,8нКл
Корпус:
TSOP6
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 14А; 7Вт; DFN3x3A DUAL; ESD
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 14А; 7Вт; DFN3x3A DUAL; ESD

38,01 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
7,5нКл
Корпус:
DFN3x3A DUAL
Модель:
ESD
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 1,2Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 1,2Вт

43,08 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 13 дюймів
Корпус:
SO8
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; TSOT26
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; TSOT26

25,34 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Корпус:
TSOT26