Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 800мА; Idm: 3А; 270мВт; ESD

Немає в наявності
Код товару: WM02DN08T
18,37 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: WM02DN08T
Виробник: WAYON
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 1,1нКл
Корпус: SOT563
Модель: ESD
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±10В
Напруга сток-джерело: 20В
Опір в стані провідності: 0,25Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 0,27Вт
Струм стока: 0,8А
Струм стоку в імпульсі: 3А
Тип транзистора: N-MOSFET x2
Недоступний
Перемикач: DIP-SWITCH; Кількість секцій: 12; OFF-ON; 0,025A/24ВDC
Перемикач: DIP-SWITCH; Кількість секцій: 12; OFF-ON; 0,025A/24ВDC

70,96 грн

Виводи:
Gull Wing; для друку
Вид упаковки:
ролик
Властивості перемикачів:
повзунок плоский
Електрична стійкість:
2000 цикли
Недоступний
Конденсатор: керамічний; 10нФ; 1кВ; X7R; ±10%; SMD; 1812
Конденсатор: керамічний; 10нФ; 1кВ; X7R; ±10%; SMD; 1812

7,35 грн

Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Ємність:
10нФ
Корпус - дюйм:
1812
Недоступний
Резистор: thick film; 4,7кОм; SMD; 0201; 50мВт; ±5%; 25В; -55÷125°C
Резистор: thick film; 4,7кОм; SMD; 0201; 50мВт; ±5%; 25В; -55÷125°C

0,44 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
0201
Корпус - мм:
0603
Монтаж:
SMD
Недоступний
Резистор: thick film; 562Ом; SMD; 0402; 62,5мВт; ±1%; 50В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 562Ом; SMD; 0402; 62,5мВт; ±1%; 50В; -55÷155°C

0,03 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Монтаж:
SMD
Резистор: thick film; 8,2кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; -55÷155°C
Резистор: thick film; 8,2кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; -55÷155°C

0,14 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Монтаж:
SMD
Недоступний
Трансформатор: струмовий; Iвх: 600А; Iвих: 1А; Øвнутр: 30,5мм
Трансформатор: струмовий; Iвх: 600А; Iвих: 1А; Øвнутр: 30,5мм

1604,16 грн

Вихідний струм:
1А
Вхідний струм:
600А
Діаметр внутрішній:
30,5мм
Клас точності:
0,2 @max 7,5ВА; 0,5 @max 15ВА; 1 @max 15ВА
Недоступний
Резистор: thin film; 33кОм; SMD; 0603; 62,5мВт; ±0,1%; -55÷155°C
Резистор: thin film; 33кОм; SMD; 0603; 62,5мВт; ±0,1%; -55÷155°C

7,03 грн

Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET x2; TrenchFET®; польовий; -20В; -4А; Idm: -20А
Транзистор: P-MOSFET x2; TrenchFET®; польовий; -20В; -4А; Idm: -20А

51,32 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
26нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 5,2А; 0,85Вт; SOT26; ESD
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 5,2А; 0,85Вт; SOT26; ESD

40,55 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Корпус:
SOT26
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 3,5А; 1,1Вт; SO8; ESD
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 3,5А; 1,1Вт; SO8; ESD

18,82 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
2нКл
Корпус:
SO8
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 31/54А; 8/13Вт; DFN5x6
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 31/54А; 8/13Вт; DFN5x6

27,88 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
13нКл
Корпус:
DFN5x6
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 0,18А; 0,272Вт
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 0,18А; 0,272Вт

21,54 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SC70-6; SC88; SOT363
Монтаж:
SMD
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 20/-20В; 0,63/-0,46А; 0,53Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 20/-20В; 0,63/-0,46А; 0,53Вт

25,98 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Корпус:
SOT563
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 24В; 11А; Idm: 60А; 1,4Вт; ECH8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 24В; 11А; Idm: 60А; 1,4Вт; ECH8

35,48 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
контроль заряду акумулятора
Заряд затвора:
10нКл