Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 110мА; Idm: 0,72А; 375мВт

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: NX3020NAKS,115
16,47 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: NX3020NAKS,115
Виробник: NEXPERIA
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 0,44нКл
Корпус: SC88; SOT363; TSSOP6
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 30В
Опір в стані провідності: 9,2Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 375мВт
Струм стока: 0,11А
Струм стоку в імпульсі: 0,72А
Тип транзистора: N-MOSFET x2
IC: цифровий; 24-stage,дільник частоти; Ch: 1; IN: 5; CMOS; SMD; туба
IC: цифровий; 24-stage,дільник частоти; Ch: 1; IN: 5; CMOS; SMD; туба

58,92 грн

Вид об'єднаної схеми:
24-stage; дільник частоти
Вид упаковки:
туба
Кількість каналів:
1
Корпус:
SOIC16
Недоступний
Резистор: thick film; 107кОм; SMD; 4527; 6Вт; ±1%; SP; 300В
Резистор: thick film; 107кОм; SMD; 4527; 6Вт; ±1%; SP; 300В

29,52 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
600В
Корпус - дюйм:
4527
Корпус - мм:
1267
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 33нФ; 100В; C0G (NP0); ±2%; SMD; 0805
Конденсатор: керамічний; MLCC; 33нФ; 100В; C0G (NP0); ±2%; SMD; 0805

5,26 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±2%
Недоступний
Резистор: thick film; 30кОм; 0603; 100мВт; ±5%; ERJ3GEY; 200ppm/°C
Резистор: thick film; 30кОм; 0603; 100мВт; ±5%; ERJ3GEY; 200ppm/°C

0,23 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Резистор: thick film; 2кОм; SMD; 0805; 125мВт; ±1%; -55÷125°C
Резистор: thick film; 2кОм; SMD; 0805; 125мВт; ±1%; -55÷125°C

0,11 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Монтаж:
SMD
Недоступний
Резистор: thin film; 750кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; TC; 75В
Резистор: thin film; 750кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; TC; 75В

0,70 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
150В
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Резистор: thick film; 2,87кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; -55÷155°C
Резистор: thick film; 2,87кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; -55÷155°C

0,06 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 6,5А; 1,44Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 6,5А; 1,44Вт; SO8

13,94 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
3,5нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 20/-20В; 1,12Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 20/-20В; 1,12Вт

16,47 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Корпус:
SOT26
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 60/-60В; 1,56Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 60/-60В; 1,56Вт

40,55 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 13 дюймів
Корпус:
SO8
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 25/-25В; 0,9Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 25/-25В; 0,9Вт

48,15 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
2,3/1,5нКл
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 100В; 2,7А; 31Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 100В; 2,7А; 31Вт; SO8

61,45 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
4,1нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; STripFET™ II; польовий; 60В; 3А; 2,5Вт
Транзистор: N-MOSFET x2; STripFET™ II; польовий; 60В; 3А; 2,5Вт

133,68 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 15А; 2,1Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 15А; 2,1Вт; SO8

86,16 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
7,2нКл
Корпус:
SO8