1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори багатоканальні

Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 25А; 1,5Вт; LSON-CLIP8

Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 25А; 1,5Вт; LSON-CLIP8
Немає в наявності
Код товару: CSD87335Q3DT
148,25 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: CSD87335Q3DT
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів: Half-Bridge Power MOSFET
Заряд затвора: 5,7/10,7нКл
Корпус: LSON-CLIP8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±10В
Напруга сток-джерело: 30В
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 1,5Вт
Розміри: 3,3x3,3мм
Струм стока: 25А
Технологія: NexFET™
Тип транзистора: N-MOSFET x2
Недоступний
PMIC; перетворювач DC/DC; Uвх: 3÷17В; Uвих: 3,3В; 3А; VQFN16; SMD
PMIC; перетворювач DC/DC; Uвх: 3÷17В; Uвих: 3,3В; 3А; VQFN16; SMD

98,20 грн

Вид об'єднаної схеми:
перетворювач DC/DC
Вихідна напруга:
3,3В
Вихідний струм:
3А
Вхідна напруга:
3...17В
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 10нФ; 10В; X5R; ±10%; SMD; 0201; 180мм
Конденсатор: керамічний; MLCC; 10нФ; 10В; X5R; ±10%; SMD; 0201; 180мм

0,06 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X5R
Допуск:
±10%
Недоступний
Резистор: thick film; 64,9Ом; SMD; 0402; 100мВт; ±1%; RK73H; 75В
Резистор: thick film; 64,9Ом; SMD; 0402; 100мВт; ±1%; RK73H; 75В

0,06 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
100В
Корпус - дюйм:
0402
Недоступний
Резистор: metal film; 28,7кОм; THT; 400мВт; ±1%; V; 200В; Ш0,5x29мм
Резистор: metal film; 28,7кОм; THT; 400мВт; ±1%; V; 200В; Ш0,5x29мм

10,14 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
1,6мм
Довжина:
3,6мм
Допуск:
±1%
Датчик: індуктивний; OUT: NPN / NO; 0÷4мм; 10÷30ВDC; M8; IP67; 200мА
Датчик: індуктивний; OUT: NPN / NO; 0÷4мм; 10÷30ВDC; M8; IP67; 200мА

1535,10 грн

Вид голівки:
неекранований
Дальність:
0...4мм
Загальна довжина:
44мм
Кількість пін:
3
Недоступний
Резистор: thin film; 187Ом; THT; 500мВт; ±0,1%; Ø3,7x10мм; осьові
Резистор: thin film; 187Ом; THT; 500мВт; ±0,1%; Ø3,7x10мм; осьові

48,15 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
3,7мм
Довжина:
10мм
Допуск:
±0,1%
Недоступний
Резистор: thick film; 36Ом; SMD; 0805; 250мВт; ±1%; RK73H-RT; 150В
Резистор: thick film; 36Ом; SMD; 0805; 250мВт; ±1%; RK73H-RT; 150В

1,15 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
200В
Корпус - дюйм:
0805
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 65В; 10А; Idm: 40А; 3,1Вт; SOP8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 65В; 10А; Idm: 40А; 3,1Вт; SOP8

25,98 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
14нКл
Корпус:
SOP8
Транзистор: N-MOSFET x2; 30В; 57А; Idm: 48А; HSOP8; ESD
Транзистор: N-MOSFET x2; 30В; 57А; Idm: 48А; HSOP8; ESD

34,47 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
16,8нКл
Корпус:
HSOP8
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET x2; 500мА; 200мВт
Транзистор: N-MOSFET x2; 500мА; 200мВт

4,56 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
1,23нКл
Монтаж:
SMD
Потужність розсіювання:
0,2Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; 100В; 20Вт; HSOP8
Транзистор: N/P-MOSFET; 100В; 20Вт; HSOP8

35,86 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
HSOP8
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 1,3Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 1,3Вт

32,31 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Заряд затвора:
7,5/9,6нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 6,1А; 1,28Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 6,1А; 1,28Вт; SO8

17,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
6нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 0,96Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 0,96Вт

45,62 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
6,6/5,7нКл