1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори багатоканальні

Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 3,5А; 1,6Вт; DFN6

Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 3,5А; 1,6Вт; DFN6
Немає в наявності
Код товару: AON2812
8,43 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Крок додавання: 3000
Код товару: AON2812
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Заряд затвора: 2,2нКл
Корпус: DFN6
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±12В
Напруга сток-джерело: 30В
Опір в стані провідності: 37мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 1,6Вт
Струм стока: 3,5А
Тип транзистора: N-MOSFET x2
Недоступний
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 70; THT; straight
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 70; THT; straight

101,37 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Довжина:
29мм
Електричний монтаж:
THT
Недоступний
IC: Oпераційний підсилювач; 3кГц; Ch: 1; ±0,8÷8ВDC,1,6÷16ВDC
IC: Oпераційний підсилювач; 3кГц; Ch: 1; ±0,8÷8ВDC,1,6÷16ВDC

174,86 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості інтегральних мікросхем:
rail-to-rail
Вхідна напруга зміщення нуля:
1,6мВ
Вхідний поляризаційний струм:
6нА
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 16; SMT; 3A; 100V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 16; SMT; 3A; 100V

90,60 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
SMT
Недоступний
Резистор: thick film; 274кОм; SMD; 2010; 1Вт; ±1%; HP; 200В
Резистор: thick film; 274кОм; SMD; 2010; 1Вт; ±1%; HP; 200В

2,59 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2010
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 8; SMT; 3A; 100V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 8; SMT; 3A; 100V

91,23 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
SMT
Недоступний
PMIC; LDO,перетворювач DC/DC; Uвх: 0,02÷0,5ВDC; Uвих: 2,35÷5ВDC
PMIC; LDO,перетворювач DC/DC; Uвх: 0,02÷0,5ВDC; Uвих: 2,35÷5ВDC

252,15 грн

Вид об'єднаної схеми:
LDO; перетворювач DC/DC
Вид упаковки:
ролик
Вихідна напруга:
2,35...5В DC
Вихідний струм:
4,5мА
Недоступний
Кабель: до датчиків; PIN: 3; М12 "мама"; кутовий; 2м; вилка; 30ВDC
Кабель: до датчиків; PIN: 3; М12 "мама"; кутовий; 2м; вилка; 30ВDC

535,35 грн

Довжина кабелю:
2м
Ізоляційний матеріал проводу:
PUR
Індикація:
LED
Кількість пін:
3
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 8А; 2Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 8А; 2Вт; SO8

118,47 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 30/-30В; 2,3/-2А; 0,5Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 30/-30В; 2,3/-2А; 0,5Вт

47,52 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TSOP-6
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 1,3Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 1,3Вт

38,65 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Заряд затвора:
2,55/4,6нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 100В; 3А; 1,3Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 100В; 3А; 1,3Вт; SO8

40,55 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
3нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 14А; 7Вт; DFN3x3A DUAL; ESD
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 14А; 7Вт; DFN3x3A DUAL; ESD

38,01 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
7,5нКл
Корпус:
DFN3x3A DUAL
Модель:
ESD
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 1,2Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 1,2Вт

43,08 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 13 дюймів
Корпус:
SO8
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; TSOT26
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; TSOT26

25,34 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Корпус:
TSOT26