Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 32А; 8,7/13Вт; DFN5x6B

Немає в наявності
Код товару: AONY36356
18,25 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Крок додавання: 3000
Код товару: AONY36356
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 13/30нКл
Корпус: DFN5x6B
Монтаж: SMD
Напруга сток-джерело: 30В
Опір в стані провідності: 6,1/3,8мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 8,7/13Вт
Структура напівпровідника: асиметрична
Струм стока: 32А
Тип транзистора: N-MOSFET x2
Connector: wire-board; female; data; 3A; 250V; PIN: 2; 2.54mm; tinned
Connector: wire-board; female; data; 3A; 250V; PIN: 2; 2.54mm; tinned

37,89 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
гніздовий
Електричний монтаж:
IDC
Кількість пін:
2
Недоступний
Резистор: thick film; 43кОм; SMD; 1210; 750мВт; ±5%; PS; 200В
Резистор: thick film; 43кОм; SMD; 1210; 750мВт; ±5%; PS; 200В

1,85 грн

Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
1210
Корпус - мм:
3225
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 6,6пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 6,6пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD

0,93 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
6,6пФ
Недоступний
Трансформатор: струмовий; Iвх: 6кА; Iвих: 5А; 0,5@max100ВА; 50÷60Гц
Трансформатор: струмовий; Iвх: 6кА; Iвих: 5А; 0,5@max100ВА; 50÷60Гц

9279,66 грн

Вихідний струм:
5А
Відповідність стандарту:
BS 3839; EN 60044-1; EN 61869-1
Вхідний струм:
6кА
Клас точності:
0,5 @max 100ВА
Резистор: thick film; 49,9кОм; 0402; 63мВт; ±1%; 50В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 49,9кОм; 0402; 63мВт; ±1%; 50В; -55÷155°C

1,27 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Недоступний
Резистор: thin film; 374кОм; THT; 600мВт; ±1%; 350В; Ш0,6x28мм
Резистор: thin film; 374кОм; THT; 600мВт; ±1%; 350В; Ш0,6x28мм

9,88 грн

Діаметр:
2,5мм
Довжина:
6,5мм
Допуск:
±1%
Монтаж:
THT
Недоступний
Резистор: thin film; 1,96кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±0,1%; RN73H; 75В
Резистор: thin film; 1,96кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±0,1%; RN73H; 75В

2,04 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 25/-25В; 3,5/-2,3А; 2Вт; SO8
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 25/-25В; 3,5/-2,3А; 2Вт; SO8

46,25 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -30В; -2А; 0,5Вт; PG-TSOP-6; ESD
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -30В; -2А; 0,5Вт; PG-TSOP-6; ESD

50,05 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TSOP-6
Модель:
ESD
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 6,5А; 1,3Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 6,5А; 1,3Вт; SO8

58,92 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
7,5нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -30В; -6,9А; 1,6Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -30В; -6,9А; 1,6Вт; SO8

74,76 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
40нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 4,1А; 0,8Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 4,1А; 0,8Вт; SO8

48,15 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 13 дюймів
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -60В; -3,8А; 1,25Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -60В; -3,8А; 1,25Вт; SO8

119,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -30В; -5,1А; 2,5Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -30В; -5,1А; 2,5Вт; SO8

62,72 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 13 дюймів
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD