Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 32А; 8,7/13Вт; DFN5x6B

Немає в наявності
Код товару: AONY36356
18,25 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Крок додавання: 3000
Код товару: AONY36356
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 13/30нКл
Корпус: DFN5x6B
Монтаж: SMD
Напруга сток-джерело: 30В
Опір в стані провідності: 6,1/3,8мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 8,7/13Вт
Структура напівпровідника: асиметрична
Струм стока: 32А
Тип транзистора: N-MOSFET x2
IC: стабілізатор напруги; LDO,лінійний,нерегульований; 5В; 0,5А
IC: стабілізатор напруги; LDO,лінійний,нерегульований; 5В; 0,5А

46,88 грн

Вид стабілізатора напруги:
LDO; лінійний; нерегульований
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Вихідна напруга:
5В
Датчик: індуктивний; OUT: PNP / NO; 0÷1,6мм; 10÷30ВDC; M5; 2м; IP67
Датчик: індуктивний; OUT: PNP / NO; 0÷1,6мм; 10÷30ВDC; M5; 2м; IP67

5704,52 грн

Вид голівки:
екранований
Дальність:
0...1,6мм
Довжина відводів:
2м
Загальна довжина:
25мм
Недоступний
Лабораторний роз’єм: банан 2мм; стрічка розетки; синій; 60ВDC
Лабораторний роз’єм: банан 2мм; стрічка розетки; синій; 60ВDC

0,00 грн

Кількість гнізд:
20
Колір:
синій
Матеріал контакту:
латунь
Номінальна напруга:
30В AC; 60В DC
Недоступний
Резистор: thick film; 43кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; CQ; 200В
Резистор: thick film; 43кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; CQ; 200В

0,22 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
1206
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 27пФ; 250В; SL; ±5%; SMD; 1808; 180мм
Конденсатор: керамічний; MLCC; 27пФ; 250В; SL; ±5%; SMD; 1808; 180мм

3,67 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
SL
Допуск:
±5%
Недоступний
Резистор: thick film; 120кОм; SMD; 0603; 0,2Вт; ±1%; 50В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 120кОм; SMD; 0603; 0,2Вт; ±1%; 50В; -55÷155°C

0,24 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
100В
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Резистор: thick film; 4,22кОм; SMD; 0508; 750мВт; ±1%; CRW
Резистор: thick film; 4,22кОм; SMD; 0508; 750мВт; ±1%; CRW

0,30 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0508
Корпус - мм:
1220
Монтаж:
SMD
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 80/-80В; 3,4/-2,6А; 2Вт; SOP8
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 80/-80В; 3,4/-2,6А; 2Вт; SOP8

105,17 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
6,6/8,2нКл
Корпус:
SOP8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 8А; 1,7Вт; CSP1515-4; ESD
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 8А; 1,7Вт; CSP1515-4; ESD

25,34 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
13нКл
Корпус:
CSP1515-4
Транзистор: N/P-MOSFET; 180мА; 150мВт
Транзистор: N/P-MOSFET; 180мА; 150мВт

8,36 грн

Вид каналу:
збагачений
Монтаж:
SMD
Потужність розсіювання:
0,15Вт
Струм стока:
0,18А
100В; 2А; TSMT8; Канал: збагачений
100В; 2А; TSMT8; Канал: збагачений

25,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
4,7нКл
Корпус:
TSMT8
Монтаж:
SMD
4А; Канал: збагачений; 1Вт
4А; Канал: збагачений; 1Вт

15,84 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
2,5нКл
Монтаж:
SMD
Потужність розсіювання:
1Вт
Транзистор: N-MOSFET; 20В
Транзистор: N-MOSFET; 20В

2,48 грн

Вид каналу:
збагачений
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
-8...8В
Напруга сток-джерело:
20В
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 0,7А; 190мВт; SC70-6
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 0,7А; 190мВт; SC70-6

13,94 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
1,57нКл
Корпус:
SC70-6
Монтаж:
SMD