1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори багатоканальні

Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 4А; Idm: 12А; 2Вт; SO8

Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 4А; Idm: 12А; 2Вт; SO8
Немає в наявності
Код товару: NVMD4N03R2G
98,83 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: NVMD4N03R2G
Виробник: ONSEMI
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 8нКл
Корпус: SO8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 30В
Опір в стані провідності: 60мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 2Вт
Струм стока: 4А
Струм стоку в імпульсі: 12А
Тип транзистора: N-MOSFET x2
Недоступний
Кабель; 0,914м; SMP "мама",з обох сторін; прямий; 50Ом
Кабель; 0,914м; SMP "мама",з обох сторін; прямий; 50Ом

4026,23 грн

Вид кабелю:
Times Tflex 405
Довжина кабелю:
0,914м
Імпеданс:
50Ом
Конструкція кабелю/переходу:
SMP "мама"; з обох сторін
Конденсатор: керамічний; MLCC; 10нФ; 1кВ; X7R; ±10%; SMD; 1206
Конденсатор: керамічний; MLCC; 10нФ; 1кВ; X7R; ±10%; SMD; 1206

21,54 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Ємність:
10нФ
Гніздовий; AMPMODU; Iном: 2А; 125В; PIN: 14; pick and place; 2мм
Гніздовий; AMPMODU; Iном: 2А; 125В; PIN: 14; pick and place; 2мм

219,84 грн

Вид роз’єму:
гніздовий
Електричний монтаж:
SMT; паяння
Кількість пін:
14
Клас горючості:
UL94V-0
Недоступний
IC: цифровий; інвертор,тригер Шмітта; NOT; Ch: 1; IN: 1; CMOS,TTL
IC: цифровий; інвертор,тригер Шмітта; NOT; Ch: 1; IN: 1; CMOS,TTL

0,00 грн

Вид входу:
з тригером Шмітта
Вид затвору:
NOT
Вид об'єднаної схеми:
інвертор; тригер Шмітта
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 100мкФ; 4В; X7T; ±20%; SMD; 1210
Конденсатор: керамічний; MLCC; 100мкФ; 4В; X7T; ±20%; SMD; 1210

51,95 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
178мм
Діелектрик:
X7T
Допуск:
±20%
Недоступний
Резистор: thick film; 4,12кОм; SMD; 2817; 4Вт; ±1%; SP; 250В
Резистор: thick film; 4,12кОм; SMD; 2817; 4Вт; ±1%; SP; 250В

15,84 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2817
Корпус - мм:
7142
Реактор: дротяний; SMD; 1812; 4,91мГн; R: 155Ом; ±10%; 65mV/uT
Реактор: дротяний; SMD; 1812; 4,91мГн; R: 155Ом; ±10%; 65mV/uT

34,21 грн

Високосортність:
18
Допуск:
±10%
Застосування реакторів:
Додатки RFID
Індуктивність:
4,91мГн
Транзистор: P-MOSFET x2; -20В; -3А; 2Вт
Транзистор: P-MOSFET x2; -20В; -3А; 2Вт

16,16 грн

Вид каналу:
збагачений
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±8В
Напруга сток-джерело:
-20В
Транзистор: N/P-MOSFET
Транзистор: N/P-MOSFET

15,08 грн

Вид каналу:
збагачений
Тип транзистора:
N/P-MOSFET
Транзистор: N/P-MOSFET; 40В; 20Вт; HSOP8
Транзистор: N/P-MOSFET; 40В; 20Вт; HSOP8

35,73 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
HSOP8
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 6,5А; 1,44Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 6,5А; 1,44Вт; SO8

13,94 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
3,5нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 20/-20В; 1,12Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 20/-20В; 1,12Вт

16,47 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Корпус:
SOT26
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 60/-60В; 1,56Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 60/-60В; 1,56Вт

40,55 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 13 дюймів
Корпус:
SO8
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 25/-25В; 0,9Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 25/-25В; 0,9Вт

48,15 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
2,3/1,5нКл