1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори багатоканальні

Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 7/11А; Idm: 28÷44А; 2Вт

Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 7/11А; Idm: 28÷44А; 2Вт
Немає в наявності
Код товару: HS8K11TB
51,95 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: HS8K11TB
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 11,1/20,2Кл
Корпус: uDFN8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 30В
Опір в стані провідності: 29,1/15,4мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 2Вт
Струм стока: 7/11А
Струм стоку в імпульсі: 28...44А
Тип транзистора: N-MOSFET x2
Недоступний
Резистор: metal film; 6,9кОм; прецизійний; THT; 400мВт; ±0,1%; V
Резистор: metal film; 6,9кОм; прецизійний; THT; 400мВт; ±0,1%; V

38,01 грн

Виводи:
осьові
Вид резистора:
прецизійний
Діаметр:
1,6мм
Довжина:
3,6мм
Недоступний
Резистор: thick film; 240кОм; SMD; 2512; 3Вт; ±5%; SP; 250В
Резистор: thick film; 240кОм; SMD; 2512; 3Вт; ±5%; SP; 250В

6,97 грн

Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2512
Корпус - мм:
6432
Недоступний
Пуск.компл: обчислювальне; 50÷60Гц; 14÷16В; 10÷550мА; 9,4Вт
Пуск.компл: обчислювальне; 50÷60Гц; 14÷16В; 10÷550мА; 9,4Вт

3585,28 грн

Вихідна напруга:
14...16В
Вихідна напруга 2:
4,75...5,25В DC
Вихідна напруга 3:
3,1...3,5В DC
Вихідний струм:
10...550мА
Діод: TVS; 1,5кВт; 35,05В; 31А; односпрямована; ±5%; DO214AB; SMCJ
Діод: TVS; 1,5кВт; 35,05В; 31А; односпрямована; ±5%; DO214AB; SMCJ

41,81 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
glass passivated
Допуск:
±5%
Зворотна напруга макс.:
30В
Недоступний
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 24; THT; straight
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 24; THT; straight

29,78 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Довжина:
24,9мм
Електричний монтаж:
THT
Недоступний
Реактор: дротяний; SMD; 150нГн; ±20%; 8,4x8x1,8мм
Реактор: дротяний; SMD; 150нГн; ±20%; 8,4x8x1,8мм

23,25 грн

Допуск:
±20%
Індуктивність:
0,15мкГн
Монтаж:
SMD
Розміри корпусу:
8,4x8x1,8мм
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 3,3нФ; 100В; C0G (NP0); ±1%; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 3,3нФ; 100В; C0G (NP0); ±1%; SMD

12,73 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±1%
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 8А; 2Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 8А; 2Вт; SO8

118,47 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 30/-30В; 2,3/-2А; 0,5Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 30/-30В; 2,3/-2А; 0,5Вт

47,52 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TSOP-6
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 1,3Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 1,3Вт

38,65 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Заряд затвора:
2,55/4,6нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 100В; 3А; 1,3Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 100В; 3А; 1,3Вт; SO8

40,55 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
3нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 2,5Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 2,5Вт

51,32 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 13 дюймів
Корпус:
SO8
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 35/-35В; 1,54Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 35/-35В; 1,54Вт

69,06 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 13 дюймів
Корпус:
TO252-4
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -50В; -0,1А; 445мВт
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -50В; -0,1А; 445мВт

10,77 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
0,35нКл
Корпус:
SC88; SOT363; TSSOP6