Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 40В; 7,1А; Idm: 184А; 2,67Вт

Немає в наявності
Код товару: DMTH4008LPDW-13
21,60 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 2500
Крок додавання: 2500
Код товару: DMTH4008LPDW-13
Виробник: DIODES INCORPORATED
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик 13 дюймів
Заряд затвора: 12,3нКл
Корпус: PowerDI5060-8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 40В
Опір в стані провідності: 17,5мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 2,67Вт
Струм стока: 7,1А
Струм стоку в імпульсі: 184А
Тип транзистора: N-MOSFET x2
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,2мкФ; 250В; X7T; ±10%; SMD; 2220
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,2мкФ; 250В; X7T; ±10%; SMD; 2220

69,06 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
178мм
Діелектрик:
X7T
Допуск:
±10%
M32; 1.5; IP66,IP67; polyamide; light grey; Cable gland: cable
M32; 1.5; IP66,IP67; polyamide; light grey; Cable gland: cable

265,46 грн

Вид різьблення:
метрична
Зовнішній діаметр проводу:
14...21мм
Клас герметичності:
IP66; IP67
Колір корпусу:
світло-сірий
Недоступний
Резистор: thin film; 249кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±0,1%; ERA8PPB
Резистор: thin film; 249кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±0,1%; ERA8PPB

49,42 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Недоступний
Резистор: thin film; 66,5Ом; SMD; 0402; 63мВт; ±0,1%; ERA2AEB
Резистор: thin film; 66,5Ом; SMD; 0402; 63мВт; ±0,1%; ERA2AEB

1,72 грн

Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Монтаж:
SMD
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,3пФ; 25В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,3пФ; 25В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD

2,03 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
4,3пФ
Недоступний
Роз’єм: HDC; гніздовий; PIN: 4; затискання; промислова
Роз’єм: HDC; гніздовий; PIN: 4; затискання; промислова

174,23 грн

Alias:
HDC MCOAX 4 FC
Connector family:
промислова
Вид роз’єму:
гніздовий
Електричний монтаж:
затискання
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 50Вт; Uвх: 43÷101ВDC; Uвих: 12ВDC; Iвих: 4,17А
Перетворювач: DC/DC; 50Вт; Uвх: 43÷101ВDC; Uвих: 12ВDC; Iвих: 4,17А

5877,48 грн

Вихідна напруга:
12В DC
Вихідний струм:
4,17А
Вхідна напруга:
43...101В DC
Зовнішні розміри:
57,9x36,8x12,7мм
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -60В; -2А; 2Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -60В; -2А; 2Вт; SO8

43,08 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
13нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 30/-30В; 1,4/-1,5А; 0,5Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 30/-30В; 1,4/-1,5А; 0,5Вт

39,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TSOP-6
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -30В; -4А; 1,3Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -30В; -4А; 1,3Вт; SO8

13,75 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
4,6нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 0,73Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 0,73Вт

29,14 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Заряд затвора:
4,7/2,8нКл
Корпус:
TSOP6
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 14А; 7Вт; DFN3x3A DUAL; ESD
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 14А; 7Вт; DFN3x3A DUAL; ESD

38,01 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
7,5нКл
Корпус:
DFN3x3A DUAL
Модель:
ESD
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 1,2Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 1,2Вт

43,08 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 13 дюймів
Корпус:
SO8
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; TSOT26
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; TSOT26

25,34 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Корпус:
TSOT26