1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори багатоканальні

Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 40В; 9,6А; Idm: 196А; 2,9Вт

Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 40В; 9,6А; Idm: 196А; 2,9Вт
Немає в наявності
Код товару: DMTH47M2LFVWQ-13
18,69 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Крок додавання: 3000
Код товару: DMTH47M2LFVWQ-13
Виробник: DIODES INCORPORATED
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик 13 дюймів
Використання: автомобільна галузь
Заряд затвора: 12,3нКл
Корпус: PowerDI3333-8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 40В
Опір в стані провідності: 13,5мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 2,9Вт
Струм стока: 9,6А
Струм стоку в імпульсі: 196А
Тип транзистора: N-MOSFET x2
Недоступний
Кристал; 20МГц; 8пФ; ±15ppm; 3,2x2,5x0,7мм; -10÷75°C
Кристал; 20МГц; 8пФ; ±15ppm; 3,2x2,5x0,7мм; -10÷75°C

5,07 грн

Ємність:
8пФ
Робоча температура:
-10...75°C
Розміри:
3,2x2,5x0,7мм
Стабільність частоти:
±15ppm
Недоступний
IC: мікроконтролер AVR; ATTINY; VDFN10; 1,8÷5,5ВDC; Cmp: 1; 0,5мм
IC: мікроконтролер AVR; ATTINY; VDFN10; 1,8÷5,5ВDC; Cmp: 1; 0,5мм

43,72 грн

Вид упаковки:
лоток
Властивості інтегральних мікросхем:
режим picoPower
Інтерфейс:
debugWIRE
Кількість в наборі/упаковці:
490шт.
Недоступний
Діод: TVS; 1,5кВт; 77,9÷86,1В; 13,5А; односпрямована; ±5%; SMC
Діод: TVS; 1,5кВт; 77,9÷86,1В; 13,5А; односпрямована; ±5%; SMC

29,78 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Допуск:
±5%
Зворотна напруга макс.:
70,1В
Недоступний
Резистор: thin film; 1,69кОм; THT; 500мВт; ±0,1%; Ø3,7x10мм; осьові
Резистор: thin film; 1,69кОм; THT; 500мВт; ±0,1%; Ø3,7x10мм; осьові

65,26 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
3,7мм
Довжина:
10мм
Допуск:
±0,1%
Недоступний
Транзистор: P-MOSFET; -6В; -2А; 270мВт; SC70-6,SC88,SOT363
Транзистор: P-MOSFET; -6В; -2А; 270мВт; SC70-6,SC88,SOT363

32,50 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SC70-6; SC88; SOT363
Монтаж:
SMD
Недоступний
Резистор: thin film; 931кОм; THT; 400мВт; ±1%; 200В; Ш0,5x29мм
Резистор: thin film; 931кОм; THT; 400мВт; ±1%; 200В; Ш0,5x29мм

9,00 грн

Діаметр:
1,6мм
Довжина:
3,6мм
Допуск:
±1%
Монтаж:
THT
Недоступний
Connector: wire-board; socket; male; data; SignalBee; PIN: 4; 1.25mm
Connector: wire-board; socket; male; data; SignalBee; PIN: 4; 1.25mm

27,50 грн

Connector family:
data
Engineering PN:
CL0536-0203-9-76
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
туба
Транзистор: P-MOSFET x2; TrenchFET®; польовий; -20В; -4А; Idm: -20А
Транзистор: P-MOSFET x2; TrenchFET®; польовий; -20В; -4А; Idm: -20А

51,32 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
26нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 5,2А; 0,85Вт; SOT26; ESD
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 5,2А; 0,85Вт; SOT26; ESD

40,55 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Корпус:
SOT26
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 3,5А; 1,1Вт; SO8; ESD
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 3,5А; 1,1Вт; SO8; ESD

18,82 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
2нКл
Корпус:
SO8
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 31/54А; 8/13Вт; DFN5x6
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 31/54А; 8/13Вт; DFN5x6

27,88 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
13нКл
Корпус:
DFN5x6
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 0,18А; 0,272Вт
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 0,18А; 0,272Вт

21,54 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SC70-6; SC88; SOT363
Монтаж:
SMD
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 20/-20В; 0,63/-0,46А; 0,53Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 20/-20В; 0,63/-0,46А; 0,53Вт

25,98 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Корпус:
SOT563
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 24В; 11А; Idm: 60А; 1,4Вт; ECH8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 24В; 11А; Idm: 60А; 1,4Вт; ECH8

35,48 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
контроль заряду акумулятора
Заряд затвора:
10нКл