1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори багатоканальні

Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 0,3А; Idm: 1,2А; 0,35Вт

Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 0,3А; Idm: 1,2А; 0,35Вт
Термін постачання: 3 тижні
Код товару: MMBT7002KDW-AQ
12,67 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: MMBT7002KDW-AQ
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Використання: автомобільна галузь
Заряд затвора: 0,44нКл
Корпус: SOT363
Модель: ESD
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 60В
Опір в стані провідності: 4Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 0,35Вт
Струм стока: 0,3А
Струм стоку в імпульсі: 1,2А
Тип транзистора: N-MOSFET x2
Перемикач: кулачковий; Фікс.поз: 2; 20А; 0-1; для вбудовування
Перемикач: кулачковий; Фікс.поз: 2; 20А; 0-1; для вбудовування

1870,25 грн

Кількість всіх позицій:
2
Кількість полюсів:
2
Кількість фіксованих позицій:
2
Клас герметичності:
IP65 спереду
Недоступний
Резистор: thin film; 2,05кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±0,1%; TC; 75В
Резистор: thin film; 2,05кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±0,1%; TC; 75В

5,83 грн

Допуск:
±0,1%
Імпульсна макс. напруга:
150В
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Резистор: thick film; 8,2Ом; 0603; 100мВт; ±5%; ERJ3GEY; 600ppm/°C
Резистор: thick film; 8,2Ом; 0603; 100мВт; ±5%; ERJ3GEY; 600ppm/°C

0,22 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 33пФ; 100В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0805
Конденсатор: керамічний; MLCC; 33пФ; 100В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0805

3,24 грн

Alias:
KGQ21HCG2A330JT
Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 35; SMT; 3A; 100V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 35; SMT; 3A; 100V

224,28 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
туба
Електричний монтаж:
SMT
Недоступний
Реактор: дротяний; SMD; 100нГн; ±5%; 7,3x6,6x4,8мм
Реактор: дротяний; SMD; 100нГн; ±5%; 7,3x6,6x4,8мм

15,78 грн

Допуск:
±5%
Індуктивність:
0,1мкГн
Монтаж:
SMD
Розміри корпусу:
7,3x6,6x4,8мм
Блок живлення: імпульсний; LED; 42Вт; 30÷350ВDC; 120÷350мА; IP20
Блок живлення: імпульсний; LED; 42Вт; 30÷350ВDC; 120÷350мА; IP20

606,31 грн

Вид блоку живлення:
LED
Використання:
LED
Вихідна напруга:
30...350В DC
Вихідний струм:
120...350мА
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 20/-20В; 1,4Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 20/-20В; 1,4Вт

52,58 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
4/7нКл
Транзистор: P-MOSFET x2; -20В; -3А; 2Вт
Транзистор: P-MOSFET x2; -20В; -3А; 2Вт

16,16 грн

Вид каналу:
збагачений
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±8В
Напруга сток-джерело:
-20В
Транзистор: N/P-MOSFET
Транзистор: N/P-MOSFET

15,08 грн

Вид каналу:
збагачений
Тип транзистора:
N/P-MOSFET
Транзистор: N/P-MOSFET; 40В; 20Вт; HSOP8
Транзистор: N/P-MOSFET; 40В; 20Вт; HSOP8

35,73 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
HSOP8
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 6,5А; 1,44Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 6,5А; 1,44Вт; SO8

13,94 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
3,5нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 20/-20В; 1,12Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 20/-20В; 1,12Вт

16,47 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Корпус:
SOT26
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 60/-60В; 1,56Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 60/-60В; 1,56Вт

40,55 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 13 дюймів
Корпус:
SO8