Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 111А; Idm: 502А; 62Вт; DFN8

Немає в наявності
Код товару: NVMFD5C650NLT1G
300,94 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: NVMFD5C650NLT1G
Виробник: ONSEMI
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 37нКл
Корпус: DFN8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 60В
Опір в стані провідності: 4,2мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 62Вт
Струм стока: 111А
Струм стоку в імпульсі: 502А
Тип транзистора: N-MOSFET x2
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 24ВDC; SPDT; Iконтактів max: 12А
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 24ВDC; SPDT; Iконтактів max: 12А

176,13 грн

Висота:
15,7мм
Зовнішні розміри:
29x12,7x15,7мм
Кількість пін:
5
Конфігурація контактів:
SPDT
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 12ВDC; SPST-NO; 12A/250ВAC; G5RL
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 12ВDC; SPST-NO; 12A/250ВAC; G5RL

258,49 грн

Виводи:
до лютування
Зовнішні розміри:
29x12,5x15,7мм
Конфігурація контактів:
SPST-NO
Макс. струм контактів:
12А
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 32; THT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 32; THT; 3A; 250V

423,21 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
THT
Недоступний
Резистор: thin film; 1,04кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,1%; MCT0603; 0
Резистор: thin film; 1,04кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,1%; MCT0603; 0

1,51 грн

Діаметр роліка макс.:
330мм
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Резистор: thin film; 165кОм; SMD; 0402; 63мВт; ±0,1%; RN73R; 50В
Резистор: thin film; 165кОм; SMD; 0402; 63мВт; ±0,1%; RN73R; 50В

1,15 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Недоступний
Резистор: thick film; 30кОм; SMD; 1225; 3Вт; ±5%; CRW; -55÷155°C
Резистор: thick film; 30кОм; SMD; 1225; 3Вт; ±5%; CRW; -55÷155°C

2,42 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
1225
Корпус - мм:
3264
Монтаж:
SMD
Connector: D-Sub; PIN: 15; socket; female; data transfer; on PCBs
Connector: D-Sub; PIN: 15; socket; female; data transfer; on PCBs

339,58 грн

Connector family:
data transfer
Вид роз’єму:
гніздовий
Електричний монтаж:
THT; паяння
Кількість пін:
15
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 25/-25В; 3,5/-2,3А; 2Вт; SO8
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 25/-25В; 3,5/-2,3А; 2Вт; SO8

46,25 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -30В; -2А; 0,5Вт; PG-TSOP-6; ESD
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -30В; -2А; 0,5Вт; PG-TSOP-6; ESD

50,05 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TSOP-6
Модель:
ESD
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 6,5А; 1,3Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 6,5А; 1,3Вт; SO8

58,92 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
7,5нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -30В; -6,9А; 1,6Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -30В; -6,9А; 1,6Вт; SO8

74,76 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
40нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 4,1А; 0,8Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 4,1А; 0,8Вт; SO8

48,15 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 13 дюймів
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -60В; -3,8А; 1,25Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -60В; -3,8А; 1,25Вт; SO8

119,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -30В; -5,1А; 2,5Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -30В; -5,1А; 2,5Вт; SO8

62,72 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 13 дюймів
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD