Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 16А; Idm: 90А; 38Вт

Немає в наявності
Код товару: BUK9K35-60RAX
49,42 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: BUK9K35-60RAX
Виробник: NEXPERIA
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Використання: автомобільна галузь
Заряд затвора: 7,8нКл
Корпус: LFPAK33; SOT1210
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±10В
Напруга сток-джерело: 60В
Опір в стані провідності: 79мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 38Вт
Струм стока: 16А
Струм стоку в імпульсі: 90А
Тип транзистора: N-MOSFET x2
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 28; THT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 28; THT; 3A; 250V

179,30 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Висота:
16мм
Недоступний
Резистор: thick film; 53,6кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; 75В
Резистор: thick film; 53,6кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; 75В

0,06 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Монтаж:
SMD
Недоступний
Джгут проводів; діоди LED; -25÷100°C; 2,8А; 0,458м; 130В; 18AWG
Джгут проводів; діоди LED; -25÷100°C; 2,8А; 0,458м; 130В; 18AWG

0,00 грн

Type of optoelectronics accessories:
джгут проводів
Використання:
діоди LED
Діаметр жили:
18AWG
Довжина проводу:
0,458м
Недоступний
IC: мікроконтролер ARM; 0БFLASH,360кБSRAM; TFBGA129; 1,71÷3,6ВDC
IC: мікроконтролер ARM; 0БFLASH,360кБSRAM; TFBGA129; 1,71÷3,6ВDC

358,59 грн

Вид архітектури:
Cortex M4
Інтерфейс:
EBI; EMI; I2C; SDMMC; Smart Card; SPI; UART; USART; USB
Кількість входів/виходів:
64
Корпус:
TFBGA129
Недоступний
Резистор: вуглецевий; 51,1Ом; SMD; MELF; 0207; 1Вт; ±1%; 500В
Резистор: вуглецевий; 51,1Ом; SMD; MELF; 0207; 1Вт; ±1%; 500В

12,42 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр:
2,2мм
Діаметр роліка макс.:
330мм
Довжина:
5,8мм
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 55/85А; 9,6/20Вт; DFN5x6
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 55/85А; 9,6/20Вт; DFN5x6

53,22 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
30нКл
Корпус:
DFN5x6
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET x2; Trench; польовий; 250В; 30А; Idm: 130А
Транзистор: N-MOSFET x2; Trench; польовий; 250В; 30А; Idm: 130А

1099,85 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
78нКл
Корпус:
ISOPLUS i4-pac™ x024a
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 4А; Idm: 24А; 1,6Вт; SOP8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 4А; Idm: 24А; 1,6Вт; SOP8

10,77 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
5,5нКл
Корпус:
SOP8
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 80/-80В; 3,4/-2,6А; 2Вт; SOP8
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 80/-80В; 3,4/-2,6А; 2Вт; SOP8

105,17 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
6,6/8,2нКл
Корпус:
SOP8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 8А; 1,7Вт; CSP1515-4; ESD
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 8А; 1,7Вт; CSP1515-4; ESD

25,34 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
13нКл
Корпус:
CSP1515-4
Транзистор: N/P-MOSFET; 30В; 5А; 2Вт; SOP8
Транзистор: N/P-MOSFET; 30В; 5А; 2Вт; SOP8

31,99 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
SOP8
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET x2; 45В; 4,5А; SOP8; автомобільна галузь; ESD
Транзистор: N-MOSFET x2; 45В; 4,5А; SOP8; автомобільна галузь; ESD

53,22 грн

Вид каналу:
збагачений
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
9,6нКл
Корпус:
SOP8