1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори багатоканальні

Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 2,1А; Idm: 12А; 1,5Вт; SO8

Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 2,1А; Idm: 12А; 1,5Вт; SO8
Немає в наявності
Код товару: DMN6070SSDQ-13
51,32 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: DMN6070SSDQ-13
Виробник: DIODES INCORPORATED
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик 13 дюймів
Використання: автомобільна галузь
Заряд затвора: 12,3нКл
Корпус: SO8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 60В
Опір в стані провідності: 0,1Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 1,5Вт
Струм стока: 2,1А
Струм стоку в імпульсі: 12А
Тип транзистора: N-MOSFET x2
Недоступний
Резистор: thick film; 560Ом; SMD; 1210; 750мВт; ±1%; HQ; 200В
Резистор: thick film; 560Ом; SMD; 1210; 750мВт; ±1%; HQ; 200В

2,47 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
1210
Недоступний
Ферит: бусина; Імп.@ 100МГц: 120Ом; SMD; 300мА; 0402; R: 300мОм; BLM
Ферит: бусина; Імп.@ 100МГц: 120Ом; SMD; 300мА; 0402; R: 300мОм; BLM

0,53 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Імпеданс при 100МГц:
120Ом
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Резистор: thick film; 680мОм; SMD; 1206; 500мВт; ±1%; -55÷125°C
Резистор: thick film; 680мОм; SMD; 1206; 500мВт; ±1%; -55÷125°C

2,39 грн

Допуск:
±1%
Зовнішні розміри:
3,2x1,6x0,6мм
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 60; THT; 1.5A
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 60; THT; 1.5A

732,39 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
THT
Недоступний
Конденсатор: поліімідний; ECQE; 0,015мкФ; 1кВDC; 15,5x7x12,5мм
Конденсатор: поліімідний; ECQE; 0,015мкФ; 1кВDC; 15,5x7x12,5мм

13,49 грн

Допуск:
±5%
Ємність:
15нФ
Монтаж:
THT
Растр виводів:
12,5мм
Недоступний
Резистор: thick film; 300Ом; SMD; 1206; 500мВт; ±1%; HQ; 200В
Резистор: thick film; 300Ом; SMD; 1206; 500мВт; ±1%; HQ; 200В

0,75 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
400В
Корпус - дюйм:
1206
Недоступний
Резистор: thick film; 2,61кОм; SMD; 0402; 62,5мВт; ±1%; CQ; 50В
Резистор: thick film; 2,61кОм; SMD; 0402; 62,5мВт; ±1%; CQ; 50В

0,04 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
100В
Корпус - дюйм:
0402
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 20/-20В; 0,9Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 20/-20В; 0,9Вт

50,68 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SuperSOT-6
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -30В; -7А; 1,3Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -30В; -7А; 1,3Вт; SO8

39,28 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
30нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 20/-20В; 0,7Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 20/-20В; 0,7Вт

13,94 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Заряд затвора:
8,5/2,9нКл
Корпус:
TSOP6
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 0,31А; 410мВт
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 0,31А; 410мВт

12,04 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
1,05нКл
Корпус:
SC88; SOT363; TSSOP6
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 2,7А; 0,96Вт; SuperSOT-6
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 2,7А; 0,96Вт; SuperSOT-6

46,88 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
5нКл
Корпус:
SuperSOT-6
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 3,6А; 1,2Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 3,6А; 1,2Вт; SO8

53,22 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 13 дюймів
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 0,17А; 285мВт; SC88; ESD
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 0,17А; 285мВт; SC88; ESD

4,05 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
0,27нКл
Корпус:
SC88