Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 200мА; Idm: 1,2А; 420мВт

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: BSS138PS,115
15,21 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: BSS138PS,115
Виробник: NEXPERIA
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 0,8нКл
Корпус: SC88; SOT363; TSSOP6
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 60В
Опір в стані провідності: 1,6Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 0,42Вт
Струм стока: 0,2А
Струм стоку в імпульсі: 1,2А
Тип транзистора: N-MOSFET x2
Недоступний
Резистор: thin film; 232кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,1%; MCT0603; 0
Резистор: thin film; 232кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,1%; MCT0603; 0

1,51 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Резистор: thick film; 174кОм; SMD; 2512; 2Вт; ±1%; HP; 300В
Резистор: thick film; 174кОм; SMD; 2512; 2Вт; ±1%; HP; 300В

4,12 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2512
Недоступний
IC: стабілізатор напруги; LDO,лінійний,нерегульований; 1,2В
IC: стабілізатор напруги; LDO,лінійний,нерегульований; 1,2В

32,94 грн

Вид стабілізатора напруги:
LDO; лінійний; нерегульований
Вид упаковки:
туба
Вихідна напруга:
1,2В
Вихідний струм:
0,5А
Недоступний
Тиристор: стандартний; 800В; Ifмакс: 8А; 5А; Igt: 15мкА; IPAK; THT
Тиристор: стандартний; 800В; Ifмакс: 8А; 5А; Igt: 15мкА; IPAK; THT

13,68 грн

Вид упаковки:
туба
Зворотна напруга макс.:
0,8кВ
Корпус:
IPAK
Монтаж:
THT
Недоступний
Резистор: thick film; 5,1Ом; SMD; 2817; 4Вт; ±1%; SP; 250В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 5,1Ом; SMD; 2817; 4Вт; ±1%; SP; 250В; -55÷155°C

20,27 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2817
Корпус - мм:
7142
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 8А; 2Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 8А; 2Вт; SO8

118,47 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 30/-30В; 2,3/-2А; 0,5Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 30/-30В; 2,3/-2А; 0,5Вт

47,52 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TSOP-6
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 1,3Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 1,3Вт

38,65 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Заряд затвора:
2,55/4,6нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 100В; 3А; 1,3Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 100В; 3А; 1,3Вт; SO8

40,55 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
3нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 2,5Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 2,5Вт

51,32 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 13 дюймів
Корпус:
SO8
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 35/-35В; 1,54Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 35/-35В; 1,54Вт

69,06 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 13 дюймів
Корпус:
TO252-4
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -50В; -0,1А; 445мВт
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -50В; -0,1А; 445мВт

10,77 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
0,35нКл
Корпус:
SC88; SOT363; TSSOP6