Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 25А; 48Вт; PDFN56U

Немає в наявності
Код товару: TQM300NB06DCR RLG
93,77 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: TQM300NB06DCR RLG
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка
Заряд затвора: 20нКл
Корпус: PDFN56U
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 60В
Опір в стані провідності: 30мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 48Вт
Струм стока: 25А
Тип транзистора: N-MOSFET x2
Резистор: thick film; 7,32кОм; SMD; 1206; 0,25Вт; ±1%; 200В
Резистор: thick film; 7,32кОм; SMD; 1206; 0,25Вт; ±1%; 200В

0,79 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Недоступний
Кабель: до датчиків; M12; PIN: 4; 2м; вилка; 30ВDC; 4А; Жили: 4; ПВХ
Кабель: до датчиків; M12; PIN: 4; 2м; вилка; 30ВDC; 4А; Жили: 4; ПВХ

1452,74 грн

Довжина кабелю:
2м
Індикація:
LED
Кількість діодів:
3
Кількість пін:
4
Недоступний
Резистор: thin film; 133Ом; прецизійний; SMD; 0805; 100мВт; ±0,05%
Резистор: thin film; 133Ом; прецизійний; SMD; 0805; 100мВт; ±0,05%

10,33 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,05%
Імпульсна макс. напруга:
200В
Корпус - дюйм:
0805
Недоступний
Модуль автоматики: інвертор; Uживл: 200÷240ВAC; настінний; IP20
Модуль автоматики: інвертор; Uживл: 200÷240ВAC; настінний; IP20

12873,81 грн

Вихідна напруга інвертора:
3 x 230В AC
Вихідна частота:
0...590Гц
Властивості контролерів:
вбудований транзистор гальмування; вбудований фільтр EMC
Електричне під'єднування:
пружинні затиски; різьбові клеми
Недоступний
Резистор: thick film; 59Ом; SMD; 4527; 6Вт; ±1%; SP; 300В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 59Ом; SMD; 4527; 6Вт; ±1%; SP; 300В; -55÷155°C

29,52 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
600В
Корпус - дюйм:
4527
Корпус - мм:
1267
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,3пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,3пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD

0,17 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
4,3пФ
Недоступний
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 12ВDC; SPST-NO; 40А; CB; 2Вт; 15мс
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 12ВDC; SPST-NO; 40А; CB; 2Вт; 15мс

347,19 грн

Виводи:
конектори
Електрична стійкість:
50000 цикли
Зовнішні розміри:
26x22x25мм
Конфігурація контактів:
SPST-NO
Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; польовий; 20В; 6,7А; Idm: 30А
Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; польовий; 20В; 6,7А; Idm: 30А

94,40 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
33нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 250мА; Idm: 1А; 150мВт; UMT6
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 250мА; Idm: 1А; 150мВт; UMT6

26,61 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
UMT6
Модель:
ESD
Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30/-30В; 1,5Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30/-30В; 1,5Вт

34,85 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
1,6/1,4нКл
Корпус:
SC70-6; SOT363
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 50/-60В; 360/-200мА; 300мВт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 50/-60В; 360/-200мА; 300мВт

16,47 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
0,95/1,1нКл
Корпус:
SOT563
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 20/-20В; 750/-660мА; 200мВт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 20/-20В; 750/-660мА; 200мВт

20,27 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
1/2,2нКл
Корпус:
SOT363
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 40В; 15А; Idm: 60А; 11,36Вт
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 40В; 15А; Idm: 60А; 11,36Вт

32,31 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
10,4нКл
Корпус:
PDFN3030-8
4А; Канал: збагачений; 1Вт
4А; Канал: збагачений; 1Вт

18,25 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
3,2нКл
Монтаж:
SMD
Потужність розсіювання:
1Вт