Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 32А; Idm: 128А; 55Вт

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: STL8DN6LF6AG
83,63 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: STL8DN6LF6AG
Виробник: STMicroelectronics
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Використання: автомобільна галузь
Заряд затвора: 27нКл
Корпус: PowerFLAT 5x6
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 60В
Опір в стані провідності: 27мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 55Вт
Струм стока: 32А
Струм стоку в імпульсі: 128А
Тип транзистора: N-MOSFET x2
Недоступний
Резистор: thick film; 1,65кОм; 0805; 500мВт; ±1%; ERJP06F
Резистор: thick film; 1,65кОм; 0805; 500мВт; ±1%; ERJP06F

1,51 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Опір:
1,65кОм
Недоступний
Test probe: ICT/FCT; 8A; Ø: 1.5mm; GKS-100; CuBe; 4N; push-in; 20mΩ
Test probe: ICT/FCT; 8A; Ø: 1.5mm; GKS-100; CuBe; 4N; push-in; 20mΩ

345,29 грн

Type of test probe:
ICT/FCT
Вигин пружини макс.:
6,35мм
Властивості вимірювальних аксесуарів:
немагнітні
Діаметр наконечника:
1,5мм
M16; 1.5; IP68; stainless steel; HSK-INOX; Cable gland: cable
M16; 1.5; IP68; stainless steel; HSK-INOX; Cable gland: cable

1248,73 грн

Вид різьблення:
метрична
Довжина гвинта:
6мм
Зовнішній діаметр проводу:
5...10мм
Клас герметичності:
IP68
Недоступний
Реактор: дротяний; SMD; 2020; 22мкГн; 550мА; R: 0,259Ом; ±20%; LQH
Реактор: дротяний; SMD; 2020; 22мкГн; 550мА; R: 0,259Ом; ±20%; LQH

5,26 грн

Діаметр роліка макс.:
330мм
Допуск:
±20%
Індуктивність:
22мкГн
Корпус - дюйм:
2020
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 28; THT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 28; THT; 3A; 250V

104,54 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
THT
Connector: wire-board; male; data; Inom: 9A; PIN: 10; 4.2mm; Imax: 9A
Connector: wire-board; male; data; Inom: 9A; PIN: 10; 4.2mm; Imax: 9A

63,99 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Електричний монтаж:
THT
Кількість пін:
10
Трансформатор: імпульсний; SMD; 13,16x18,67x6,12мм; 325мкГн
Трансформатор: імпульсний; SMD; 13,16x18,67x6,12мм; 325мкГн

582,87 грн

Зовнішні розміри:
13,16x18,67x6,12мм
Індуктивність:
325мкГн
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
-40...85°C
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -60В; -2А; 2Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -60В; -2А; 2Вт; SO8

43,08 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
13нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 30/-30В; 1,4/-1,5А; 0,5Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 30/-30В; 1,4/-1,5А; 0,5Вт

39,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TSOP-6
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -30В; -4А; 1,3Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -30В; -4А; 1,3Вт; SO8

13,75 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
4,6нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 0,73Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 0,73Вт

29,14 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Заряд затвора:
4,7/2,8нКл
Корпус:
TSOP6
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 14А; 7Вт; DFN3x3A DUAL; ESD
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 14А; 7Вт; DFN3x3A DUAL; ESD

38,01 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
7,5нКл
Корпус:
DFN3x3A DUAL
Модель:
ESD
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 1,2Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 1,2Вт

43,08 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 13 дюймів
Корпус:
SO8
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; TSOT26
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; TSOT26

25,34 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Корпус:
TSOT26