1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори багатоканальні

Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 42А; Idm: 119А; 18Вт; DFN8

Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 42А; Idm: 119А; 18Вт; DFN8
Немає в наявності
Код товару: NTMFD5C674NLT1G
64,62 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: NTMFD5C674NLT1G
Виробник: ONSEMI
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 10нКл
Корпус: DFN8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 60В
Опір в стані провідності: 14,4мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 18Вт
Струм стока: 42А
Струм стоку в імпульсі: 119А
Тип транзистора: N-MOSFET x2
Конденсатор: керамічний; MLCC; 22нФ; 1кВ; X7R; ±10%; SMD; 1206
Конденсатор: керамічний; MLCC; 22нФ; 1кВ; X7R; ±10%; SMD; 1206

29,14 грн

Alias:
C1206X223KDRAC7800
Вид конденсатора:
MLCC
Властивості конденсаторів:
гнучкі закінчення
Діелектрик:
X7R
Connector: wire-board; plug; male; data; Inom: 5A; 250V; PIN: 3; 3mm
Connector: wire-board; plug; male; data; Inom: 5A; 250V; PIN: 3; 3mm

92,50 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Електричний монтаж:
SMT; паяння
Кількість пін:
3
Недоступний
Роз’єм: M8; гніздо; PIN: 3; штекерний; промислова; M8 ALTW; проводи
Роз’єм: M8; гніздо; PIN: 3; штекерний; промислова; M8 ALTW; проводи

205,90 грн

Connector family:
промислова
Вид роз’єму:
штекерний
Довжина проводу:
0,15м
Електричний монтаж:
проводи
Недоступний
Резистор: thick film; 11Ом; SMD; 0603; 125мВт; ±1%; ERJH3EF
Резистор: thick film; 11Ом; SMD; 0603; 125мВт; ±1%; ERJH3EF

1,53 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Резистор: thin film; 10Ом; SMD; 1210; 250мВт; ±1%; RN73R; 200В
Резистор: thin film; 10Ом; SMD; 1210; 250мВт; ±1%; RN73R; 200В

8,24 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
400В
Корпус - дюйм:
1210
Недоступний
Конденсатор: керамічний; 150пФ; 500В; C0G (NP0); ±10%; SMD; 1206
Конденсатор: керамічний; 150пФ; 500В; C0G (NP0); ±10%; SMD; 1206

1,88 грн

Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±10%
Ємність:
0,15нФ
Корпус - дюйм:
1206
Недоступний
IC: пам'ять SRAM; 2Кx8бит; 2,7÷3,6В; DIP8; -40÷125°C; туба; 400нс
IC: пам'ять SRAM; 2Кx8бит; 2,7÷3,6В; DIP8; -40÷125°C; туба; 400нс

57,65 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Вид упаковки:
туба
Корпус:
DIP8
Робоча напруга:
2,7...3,6В
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 20/-20В; 0,9Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 20/-20В; 0,9Вт

50,68 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SuperSOT-6
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -30В; -7А; 1,3Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -30В; -7А; 1,3Вт; SO8

39,28 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
30нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 20/-20В; 0,7Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 20/-20В; 0,7Вт

13,94 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Заряд затвора:
8,5/2,9нКл
Корпус:
TSOP6
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 0,31А; 410мВт
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 0,31А; 410мВт

12,04 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
1,05нКл
Корпус:
SC88; SOT363; TSSOP6
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 2,7А; 0,96Вт; SuperSOT-6
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 2,7А; 0,96Вт; SuperSOT-6

46,88 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
5нКл
Корпус:
SuperSOT-6
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 3,6А; 1,2Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 3,6А; 1,2Вт; SO8

53,22 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 13 дюймів
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 0,17А; 285мВт; SC88; ESD
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 0,17А; 285мВт; SC88; ESD

4,05 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
0,27нКл
Корпус:
SC88