Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 7,5А; 1,6Вт; SO8; ESD

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: AOSD62666E
40,55 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: AOSD62666E
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Заряд затвора: 6,5нКл
Корпус: SO8
Модель: ESD
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 60В
Опір в стані провідності: 14,5мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 1,6Вт
Струм стока: 7,5А
Тип транзистора: N-MOSFET x2
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 33нФ; 50В; X7R; ±10%; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; MLCC; 33нФ; 50В; X7R; ±10%; SMD; 0603

0,22 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Ємність:
33нФ
Недоступний
Насадка: 6-гранна; насадковий; 9/16"; 3/8"; 29мм; хром
Насадка: 6-гранна; насадковий; 9/16"; 3/8"; 29мм; хром

513,81 грн

Вид ключа:
насадковий
Відповідність стандарту:
DIN 3120; ISO 1174
Довжина насадки:
29мм
Матеріал:
хром-ванадієва сталь
Недоступний
IC: цифровий; тригер D; Ch: 2; CMOS,TTL; SMD; TSSOP14; ACT; 20мкА
IC: цифровий; тригер D; Ch: 2; CMOS,TTL; SMD; TSSOP14; ACT; 20мкА

69,69 грн

Вид об'єднаної схеми:
тригер D
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Кількість каналів:
2
Корпус:
TSSOP14
Недоступний
Роз’єм: роз'єднувальна клемова рейка; штекерний; OMNIMATE; 19А
Роз’єм: роз'єднувальна клемова рейка; штекерний; OMNIMATE; 19А

79,83 грн

Alias:
SL-SMT 5.08HC/05/180G 1.5SN BK RL
Connector family:
роз'єм живлення
Вид роз’єму:
штекерний
Висота:
13,5мм
Недоступний
Провід; плоска; ÖLFLEX® LIFT F; 4G10мм2; неекранований; 450В,750В
Провід; плоска; ÖLFLEX® LIFT F; 4G10мм2; неекранований; 450В,750В

770,40 грн

Будова екрану:
неекранований
Будова жили:
тросик
Вид жили:
Cu
Вид матеріалу:
не поширює полум'я
Недоступний
Ферит: кільцевий; 75; -55÷90°C; 6,25мкГн; 25,4x15,5x12,7мм
Ферит: кільцевий; 75; -55÷90°C; 6,25мкГн; 25,4x15,5x12,7мм

59,55 грн

Індуктивність:
6,25мкГн
Матеріал стержня:
75
Робоча температура:
-55...90°C
Розміри:
25,4x15,5x12,7мм
Резистор: thick film; 5,1МОм; 2Вт; ±1%; -55÷155°C
Резистор: thick film; 5,1МОм; 2Вт; ±1%; -55÷155°C

23,38 грн

Допуск:
±1%
Зовнішні розміри:
5x1,1мм
Опір:
5,1мОм
Потужність:
2Вт
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -60В; -2А; 2Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -60В; -2А; 2Вт; SO8

43,08 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
13нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 30/-30В; 1,4/-1,5А; 0,5Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 30/-30В; 1,4/-1,5А; 0,5Вт

39,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TSOP-6
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -30В; -4А; 1,3Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -30В; -4А; 1,3Вт; SO8

13,75 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
4,6нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 0,73Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 0,73Вт

29,14 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Заряд затвора:
4,7/2,8нКл
Корпус:
TSOP6
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 14А; 7Вт; DFN3x3A DUAL; ESD
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 14А; 7Вт; DFN3x3A DUAL; ESD

38,01 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
7,5нКл
Корпус:
DFN3x3A DUAL
Модель:
ESD
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 1,2Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 1,2Вт

43,08 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 13 дюймів
Корпус:
SO8
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; TSOT26
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; TSOT26

25,34 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Корпус:
TSOT26