1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори багатоканальні

Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 8А; Idm: 32А; 3,1Вт; SOP8

Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 8А; Idm: 32А; 3,1Вт; SOP8
Термін постачання: 3 тижні
Код товару: WMS08DN06TS
34,85 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: WMS08DN06TS
Виробник: WAYON
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 22нКл
Корпус: SOP8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 60В
Опір в стані провідності: 38мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 3,1Вт
Струм стока: 8А
Струм стоку в імпульсі: 32А
Тип транзистора: N-MOSFET x2
Недоступний
Резистор: thick film; 2,7кОм; SMD; 2512; 1Вт; ±1%; 500В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 2,7кОм; SMD; 2512; 1Вт; ±1%; 500В; -55÷155°C

2,93 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±1%
Зовнішні розміри:
6,3x3,15x0,6мм
Недоступний
Резистор: thin film; 357кОм; SMD; 0805; 125мВт; ±0,1%; ERA6AEB
Резистор: thin film; 357кОм; SMD; 0805; 125мВт; ±0,1%; ERA6AEB

1,81 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Імпульсна макс. напруга:
200В
Корпус - дюйм:
0805
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 33пФ; 630В; U2J; ±5%; SMD; 1206; 180мм
Конденсатор: керамічний; MLCC; 33пФ; 630В; U2J; ±5%; SMD; 1206; 180мм

1,18 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
U2J
Допуск:
±5%
Недоступний
Резистор: thick film; 105кОм; SMD; 0402; 100мВт; ±1%; ERJH2RF
Резистор: thick film; 105кОм; SMD; 0402; 100мВт; ±1%; ERJH2RF

1,74 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Резистор: thick film; 220кОм; SMD; 1206; 0,25Вт; ±1%; 200В
Резистор: thick film; 220кОм; SMD; 1206; 0,25Вт; ±1%; 200В

0,89 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Монтаж:
SMD
Недоступний
Резистор: thick film; 453Ом; SMD; 2010; 2Вт; ±1%; SP; 200В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 453Ом; SMD; 2010; 2Вт; ±1%; SP; 200В; -55÷155°C

7,29 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2010
Корпус - мм:
5025
Резистор: thick film; 20кОм; SMD; 0805; 130мВт; ±1%; AC; -55÷155°C
Резистор: thick film; 20кОм; SMD; 0805; 130мВт; ±1%; AC; -55÷155°C

0,13 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Зовнішні розміри:
2x1,25x0,5мм
Імпульсна макс. напруга:
300В
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 25/-25В; 3,5/-2,3А; 2Вт; SO8
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 25/-25В; 3,5/-2,3А; 2Вт; SO8

46,25 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -30В; -2А; 0,5Вт; PG-TSOP-6; ESD
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -30В; -2А; 0,5Вт; PG-TSOP-6; ESD

50,05 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TSOP-6
Модель:
ESD
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 6,5А; 1,3Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 6,5А; 1,3Вт; SO8

58,92 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
7,5нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -30В; -6,9А; 1,6Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -30В; -6,9А; 1,6Вт; SO8

74,76 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
40нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 4,1А; 0,8Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 4,1А; 0,8Вт; SO8

48,15 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 13 дюймів
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -60В; -3,8А; 1,25Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -60В; -3,8А; 1,25Вт; SO8

119,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -30В; -5,1А; 2,5Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -30В; -5,1А; 2,5Вт; SO8

62,72 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 13 дюймів
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD