Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 80В; 31А; Idm: 114А; 17Вт; DFN8

Немає в наявності
Код товару: NVMFD6H846NLT1G
142,55 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: NVMFD6H846NLT1G
Виробник: ONSEMI
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 17нКл
Корпус: DFN8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 80В
Опір в стані провідності: 15мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 17Вт
Струм стока: 31А
Струм стоку в імпульсі: 114А
Тип транзистора: N-MOSFET x2
Корпус для з’єднувачів: D-Sub; для проводу; прямий; екранований
Корпус для з’єднувачів: D-Sub; для проводу; прямий; екранований

1134,06 грн

Діаметр проводу макс.:
9,5мм
Колір:
червоний
Матеріал корпусу:
цинковий сплав
Механічний монтаж:
для проводу
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,7мкФ; 16В; X7R; ±10%; SMD; 1210
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,7мкФ; 16В; X7R; ±10%; SMD; 1210

11,47 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Наручний браслет; ESD; Властивості: гіпоалергенний; синій; 1кОм
Наручний браслет; ESD; Властивості: гіпоалергенний; синій; 1кОм

143,82 грн

Відповідність стандарту:
EN 61340-5-5
Властивості елементів антистатики:
гіпоалергенний
Колір:
синій
Модель:
ESD
Недоступний
Резистор: thin film; 2,4кОм; SMD; 0402; 60мВт; ±0,1%; TC; 25В
Резистор: thin film; 2,4кОм; SMD; 0402; 60мВт; ±0,1%; TC; 25В

1,87 грн

Допуск:
±0,1%
Імпульсна макс. напруга:
50В
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Недоступний
Резистор: thick film; 634Ом; SMD; 0805; 250мВт; ±0,1%; ERJPC6B
Резистор: thick film; 634Ом; SMD; 0805; 250мВт; ±0,1%; ERJPC6B

2,00 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Недоступний
Провід; HookUp Wire; тросик; Cu; 14AWG; PTFE; коричневий; 600В; 305м
Провід; HookUp Wire; тросик; Cu; 14AWG; PTFE; коричневий; 600В; 305м

116141,81 грн

Будова жили:
тросик
Вид жили:
Cu; сріблена
Вид кабелю:
HookUp Wire
Відповідність стандарту:
SAE-AS22759/11
Недоступний
Резистор: thick film; 6,2кОм; SMD; 1206; 0,25Вт; ±5%; 200В
Резистор: thick film; 6,2кОм; SMD; 1206; 0,25Вт; ±5%; 200В

0,27 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Монтаж:
SMD
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 25/-25В; 3,5/-2,3А; 2Вт; SO8
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 25/-25В; 3,5/-2,3А; 2Вт; SO8

46,25 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -30В; -2А; 0,5Вт; PG-TSOP-6; ESD
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -30В; -2А; 0,5Вт; PG-TSOP-6; ESD

50,05 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TSOP-6
Модель:
ESD
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 6,5А; 1,3Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 6,5А; 1,3Вт; SO8

58,92 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
7,5нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -30В; -6,9А; 1,6Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -30В; -6,9А; 1,6Вт; SO8

74,76 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
40нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 4,1А; 0,8Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 4,1А; 0,8Вт; SO8

48,15 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 13 дюймів
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -60В; -3,8А; 1,25Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -60В; -3,8А; 1,25Вт; SO8

119,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -30В; -5,1А; 2,5Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -30В; -5,1А; 2,5Вт; SO8

62,72 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 13 дюймів
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD