1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори багатоканальні

Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 80В; 74А; Idm: 336А; 45Вт; DFN8

Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 80В; 74А; Idm: 336А; 45Вт; DFN8
Немає в наявності
Код товару: NVMFD6H840NLWFT1G
178,03 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: NVMFD6H840NLWFT1G
Виробник: ONSEMI
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 32нКл
Корпус: DFN8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 80В
Опір в стані провідності: 6,9мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 45Вт
Струм стока: 74А
Струм стоку в імпульсі: 336А
Тип транзистора: N-MOSFET x2
Недоступний
Резистор: thick film; 5,1кОм; SMD; 0201; 50мВт; ±1%; 25В; -55÷125°C
Резистор: thick film; 5,1кОм; SMD; 0201; 50мВт; ±1%; 25В; -55÷125°C

0,10 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0201
Корпус - мм:
0603
Монтаж:
SMD
Недоступний
Кристал; 12МГц; SMD; 3,2x2,5x0,8мм; 10пФ; Стаб.част: ±30ppm
Кристал; 12МГц; SMD; 3,2x2,5x0,8мм; 10пФ; Стаб.част: ±30ppm

10,01 грн

Допуск резонаторів:
±30ppm
Ємність:
10пФ
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
-40...85°C
Недоступний
Резистор: thick film; 487кОм; SMD; 0402; 100мВт; ±1%; ERJ2RKF; 50В
Резистор: thick film; 487кОм; SMD; 0402; 100мВт; ±1%; ERJ2RKF; 50В

0,18 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
100В
Корпус - дюйм:
0402
Недоступний
Конденсатор: електролітичний; THT; 220мкФ; 40ВDC; Ø12,5x30мм; ±20%
Конденсатор: електролітичний; THT; 220мкФ; 40ВDC; Ø12,5x30мм; ±20%

207,17 грн

Виводи:
осьові
Висота:
30мм
Діаметр:
12,5мм
Допуск:
±20%
Недоступний
Резистор: thin film; 1,8Ом; THT; 600мВт; ±1%; 350В; Ш0,6x28мм
Резистор: thin film; 1,8Ом; THT; 600мВт; ±1%; 350В; Ш0,6x28мм

2,58 грн

Діаметр:
2,5мм
Довжина:
6,5мм
Допуск:
±1%
Монтаж:
THT
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 330пФ; 50В; X7R; ±5%; SMD; 0805
Конденсатор: керамічний; MLCC; 330пФ; 50В; X7R; ±5%; SMD; 0805

0,46 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±5%
Ємність:
0,33нФ
Недоступний
Резистор: thick film; 12Ом; THT; 35Вт; ±1%; 10,16x15x4,6мм
Резистор: thick film; 12Ом; THT; 35Вт; ±1%; 10,16x15x4,6мм

387,73 грн

Виводи:
радіальні
Допуск:
±1%
Монтаж:
THT
Опір:
12Ом
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 20/-20В; 0,9Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 20/-20В; 0,9Вт

50,68 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SuperSOT-6
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -30В; -7А; 1,3Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -30В; -7А; 1,3Вт; SO8

39,28 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
30нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 20/-20В; 0,7Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 20/-20В; 0,7Вт

13,94 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Заряд затвора:
8,5/2,9нКл
Корпус:
TSOP6
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 0,31А; 410мВт
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 0,31А; 410мВт

12,04 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
1,05нКл
Корпус:
SC88; SOT363; TSSOP6
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 2,7А; 0,96Вт; SuperSOT-6
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 2,7А; 0,96Вт; SuperSOT-6

46,88 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
5нКл
Корпус:
SuperSOT-6
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 3,6А; 1,2Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 3,6А; 1,2Вт; SO8

53,22 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 13 дюймів
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 0,17А; 285мВт; SC88; ESD
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 0,17А; 285мВт; SC88; ESD

4,05 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
0,27нКл
Корпус:
SC88