Транзистор: N-MOSFET x2 + Schottky; TrenchFET®; польовий; 25В; 8А

Name: Транзистор: N-MOSFET x2 + Schottky; TrenchFET®; польовий; 25В; 8А
Brand: VISHAY
SKU: SI4670DY-T1-GE3
Availability: OutOfStock
Rating: 100 (1 reviews)

Бажані

Немає в наявності

Код товару: SI4670DY-T1-GE3

0,00 грн

Ціни вказані в гривні без ПДВ

Мінімальна кількість в замовленні: 2500

Крок додавання: 2500

Код товару:

SI4670DY-T1-GE3

Виробник:

VISHAY

Вид каналу:

збагачений

Вид упаковки:

cтрічка; ролик

Заряд затвора:

18нКл

Корпус:

SO8

Монтаж:

SMD

Напруга затвор-джерело:

±16В

Напруга сток-джерело:

25В

Опір в стані провідності:

28мОм

Поляризація:

польовий

Потужність розсіювання:

2,8Вт

Струм стока:

8А

Струм стоку в імпульсі:

30А

Технологія:

TrenchFET®

Тип транзистора:

N-MOSFET x2 + Schottky

Переглянуті товари

Бажані

Connector: PCB to PCB; female; data; 3A; PIN: 26; 2.54mm; straight

212,87 грн

Connector family:
data

Вид роз’єму:
гніздовий

Електричний монтаж:
THT

Кількість пін:
26

Це може вас зацікавити

Бажані

Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 55/85А; 9,6/20Вт; DFN5x6

53,22 грн

Вид каналу:
збагачений

Заряд затвора:
30нКл

Корпус:
DFN5x6

Монтаж:
SMD

Бажані

Транзистор: N-MOSFET x2; Trench; польовий; 250В; 30А; Idm: 130А

1099,85 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Заряд затвора:
78нКл

Корпус:
ISOPLUS i4-pac™ x024a

Бажані

Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 4А; Idm: 24А; 1,6Вт; SOP8

10,77 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
5,5нКл

Корпус:
SOP8

Бажані

Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 8А; 1,7Вт; CSP1515-4; ESD

25,34 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
13нКл

Корпус:
CSP1515-4

Бажані

Транзистор: N/P-MOSFET; 30В; 5А; 2Вт; SOP8

31,99 грн

Вид каналу:
збагачений

Корпус:
SOP8

Монтаж:
SMD

Напруга затвор-джерело:
±20В

Бажані

Транзистор: N-MOSFET x2; 45В; 4,5А; SOP8; автомобільна галузь; ESD

53,22 грн

Вид каналу:
збагачений

Використання:
автомобільна галузь

Заряд затвора:
9,6нКл

Корпус:
SOP8

Бажані

Транзистор: N/P-MOSFET; 500мА; 500мВт; UF6

13,11 грн

Вид каналу:
збагачений

Корпус:
UF6

Монтаж:
SMD

Потужність розсіювання:
0,5Вт