1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори багатоканальні

Транзистор: N-MOSFET x2; Trench; польовий; 20В; 400мА; Idm: 2,5А

Транзистор: N-MOSFET x2; Trench; польовий; 20В; 400мА; Idm: 2,5А
Немає в наявності
Код товару: PMDXB600UNELZ
0,00 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 5000
Крок додавання: 5000
Код товару: PMDXB600UNELZ
Виробник: NEXPERIA
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 0,7нКл
Корпус: DFN1010B-6; SOT1216
Модель: ESD
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±8В
Напруга сток-джерело: 20В
Опір в стані провідності: 1Ом
Поляризація: польовий
Струм стока: 0,4А
Струм стоку в імпульсі: 2,5А
Технологія: Trench
Тип транзистора: N-MOSFET x2
BMS захисту; Li-Ion; 60x28x3,5мм; 10А; 14,8ВDC
BMS захисту; Li-Ion; 60x28x3,5мм; 10А; 14,8ВDC

681,07 грн

Вид акумулятора:
Li-Ion
Вихідна напруга:
14,8В DC
Захист:
від короткого замикання SCP; захист від перезарядження; протиперевантажувальні OPP
Максимальний струм:
10А
Конденсатор: керамічний; 33пФ; 3кВDC; C0G (NP0); ±10%; SMD; 1808
Конденсатор: керамічний; 33пФ; 3кВDC; C0G (NP0); ±10%; SMD; 1808

22,74 грн

Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±10%
Ємність:
33пФ
Корпус - дюйм:
1808
Недоступний
Резистор: thick film; 3,9кОм; 0402; 63мВт; ±1%; 50В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 3,9кОм; 0402; 63мВт; ±1%; 50В; -55÷155°C

0,32 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 47нФ; 250В; X7T; ±10%; SMD; 1206
Конденсатор: керамічний; MLCC; 47нФ; 250В; X7T; ±10%; SMD; 1206

2,93 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X7T
Допуск:
±10%
Недоступний
Резистор: thick film; 3,24Ом; SMD; 2512; 2Вт; ±1%; HP; 300В
Резистор: thick film; 3,24Ом; SMD; 2512; 2Вт; ±1%; HP; 300В

6,40 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2512
Недоступний
Діод: TVS; 7,04В; 24А; 0,35кВт; двоспрямована; SOD323; Ch: 1
Діод: TVS; 7,04В; 24А; 0,35кВт; двоспрямована; SOD323; Ch: 1

3,23 грн

Ємність:
0,2нФ
Зворотна напруга макс.:
5В
Кількість каналів:
1
Корпус:
SOD323
Недоступний
Резистор: thick film; 4,87Ом; 1206; 250мВт; ±1%; 200В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 4,87Ом; 1206; 250мВт; ±1%; 200В; -55÷155°C

0,75 грн

Допуск:
±1%
Кількість в наборі/упаковці:
5000шт.
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 20/-20В; 1А/-700мА; 350мВт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 20/-20В; 1А/-700мА; 350мВт

21,54 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
1,6/2,2нКл
Корпус:
SOT363
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 6А; Idm: 25А; 1,5Вт; SOT23-6
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 6А; Idm: 25А; 1,5Вт; SOT23-6

22,17 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
12нКл
Корпус:
SOT23-6
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 65В; 40А; Idm: 160А; 27,8Вт
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 65В; 40А; Idm: 160А; 27,8Вт

51,95 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
22,1нКл
Корпус:
PDFN5060-8
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 40/-40В; 10/-8А; 3Вт; SOP8
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 40/-40В; 10/-8А; 3Вт; SOP8

25,98 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
26/30нКл
Корпус:
SOP8
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 40/-40В; 1,6Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 40/-40В; 1,6Вт

55,12 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 13 дюймів
Корпус:
TO252-4
1,5А; Канал: збагачений; 500мВт
1,5А; Канал: збагачений; 500мВт

8,74 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
6,4нКл
Монтаж:
SMD
Потужність розсіювання:
0,5Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; 45В; 4,5А; SOP8
Транзистор: N/P-MOSFET; 45В; 4,5А; SOP8

51,32 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
SOP8
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В