Транзистор: N-MOSFET x2; Trench; польовий; 60В; 5А; 3,1Вт; SOP8

Немає в наявності
Код товару: G05N06S2
43,72 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: G05N06S2
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Заряд затвора: 26нКл
Корпус: SOP8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 60В
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 3,1Вт
Струм стока: 5А
Технологія: Trench
Тип транзистора: N-MOSFET x2
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 470нФ; 25В; X7R; ±10%; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; MLCC; 470нФ; 25В; X7R; ±10%; SMD; 0603

0,67 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Недоступний
Реактор: common mode; THT; 1,5А; R: 116мОм; 13x10мм; 4,5мГн
Реактор: common mode; THT; 1,5А; R: 116мОм; 13x10мм; 4,5мГн

99,47 грн

Індуктивність одинарної обмотки:
4,5мГн
Монтаж:
THT
Опір:
0,116Ом
Растр виводів:
13x10мм
Недоступний
Резистор: thin film; 88,7кОм; SMD; 0603; 0,21Вт; ±0,1%; MCT0603; M
Резистор: thin film; 88,7кОм; SMD; 0603; 0,21Вт; ±0,1%; MCT0603; M

10,14 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0603
Перетворювач: DC/DC; 6Вт; Uвх: 4,5÷9ВDC; Uвих: 15ВDC; Uвих.2: -15ВDC
Перетворювач: DC/DC; 6Вт; Uвх: 4,5÷9ВDC; Uвих: 15ВDC; Uвих.2: -15ВDC

389,64 грн

Використання:
енергетика; промисловість; телекомунікація
Вихідна напруга:
15В DC
Вихідна напруга 2:
-15В DC
Вихідний струм:
0,167А
Недоступний
Резистор: thick film; 390кОм; SMD; 1020; 2Вт; ±1%; CRW; -55÷155°C
Резистор: thick film; 390кОм; SMD; 1020; 2Вт; ±1%; CRW; -55÷155°C

1,28 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
1020
Корпус - мм:
2550
Монтаж:
SMD
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 20/-20В; 0,9Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 20/-20В; 0,9Вт

50,68 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SuperSOT-6
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -30В; -7А; 1,3Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -30В; -7А; 1,3Вт; SO8

39,28 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
30нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 20/-20В; 0,7Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 20/-20В; 0,7Вт

13,94 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Заряд затвора:
8,5/2,9нКл
Корпус:
TSOP6
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 0,31А; 410мВт
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 0,31А; 410мВт

12,04 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
1,05нКл
Корпус:
SC88; SOT363; TSSOP6
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 2,7А; 0,96Вт; SuperSOT-6
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 2,7А; 0,96Вт; SuperSOT-6

46,88 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
5нКл
Корпус:
SuperSOT-6
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 3,6А; 1,2Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 3,6А; 1,2Вт; SO8

53,22 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 13 дюймів
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 0,17А; 285мВт; SC88; ESD
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 0,17А; 285мВт; SC88; ESD

4,05 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
0,27нКл
Корпус:
SC88