1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори багатоканальні

Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; польовий; 100В; 17/34А

Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; польовий; 100В; 17/34А
Немає в наявності
Код товару: SQJ990EP-T1_GE3
33,26 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Крок додавання: 3000
Код товару: SQJ990EP-T1_GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Корпус: PowerPAK® SO8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 100В
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 27/48Вт
Струм стока: 17/34А
Струм стоку в імпульсі: 40...80А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: N-MOSFET x2
Недоступний
Резистор: thin film; 111Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±0,1%; RN73R; 75В
Резистор: thin film; 111Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±0,1%; RN73R; 75В

1,03 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
З`єднання: затискна планка; Entrelec; сірий
З`єднання: затискна планка; Entrelec; сірий

293,97 грн

Alias:
SHB
Колір:
сірий
Робоча температура:
-55...110°C
Серія виробника:
Entrelec
Недоступний
Резистор: thick film; 750Ом; SMD; 2512; 1Вт; ±5%; 200В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 750Ом; SMD; 2512; 1Вт; ±5%; 200В; -55÷155°C

2,66 грн

Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2512
Корпус - мм:
6432
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 47пФ; 250В; C0G (NP0); ±1%; SMD; 0805
Конденсатор: керамічний; MLCC; 47пФ; 250В; C0G (NP0); ±1%; SMD; 0805

2,86 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±1%
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 10нФ; 50В; X7R; ±20%; SMD; 0402
Конденсатор: керамічний; MLCC; 10нФ; 50В; X7R; ±20%; SMD; 0402

0,09 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±20%
Ємність:
10нФ
Резистор: thick film; 22,1кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; -55÷155°C
Резистор: thick film; 22,1кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; -55÷155°C

0,06 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Монтаж:
SMD
Недоступний
IC: мікроконтролер PIC; 32МГц; 1,8÷5,5ВDC; THT; PDIP14; PIC16; туба
IC: мікроконтролер PIC; 32МГц; 1,8÷5,5ВDC; THT; PDIP14; PIC16; туба

69,06 грн

Вид архітектури:
Harvard 8бит
Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
Brown Out Reset (BOR); CLC; CWG; NCO; PoR; PPS; watchdog; ZCD
Інтерфейс:
ADC; EUSART; ICSP; LIN; MSSP (SPI / I2C); RS232; RS485; SMBus
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 25/-25В; 3,5/-2,3А; 2Вт; SO8
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 25/-25В; 3,5/-2,3А; 2Вт; SO8

46,25 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -30В; -2А; 0,5Вт; PG-TSOP-6; ESD
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -30В; -2А; 0,5Вт; PG-TSOP-6; ESD

50,05 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TSOP-6
Модель:
ESD
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 6,5А; 1,3Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 6,5А; 1,3Вт; SO8

58,92 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
7,5нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -30В; -6,9А; 1,6Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -30В; -6,9А; 1,6Вт; SO8

74,76 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
40нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 4,1А; 0,8Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 4,1А; 0,8Вт; SO8

48,15 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 13 дюймів
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -60В; -3,8А; 1,25Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -60В; -3,8А; 1,25Вт; SO8

119,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -30В; -5,1А; 2,5Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -30В; -5,1А; 2,5Вт; SO8

62,72 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 13 дюймів
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD