1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори багатоканальні

Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; польовий; 100В; 9,7А; Idm: 20А

Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; польовий; 100В; 9,7А; Idm: 20А
Немає в наявності
Код товару: SIS990DN-T1-GE3
74,76 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: SIS990DN-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 8нКл
Корпус: PowerPAK® 1212-8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 100В
Опір в стані провідності: 0,105Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 16Вт
Струм стока: 9,7А
Струм стоку в імпульсі: 20А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: N-MOSFET x2
Недоступний
Роз’єм: роз'єднувальна клемова рейка; вилка; роз'єм живлення
Роз’єм: роз'єднувальна клемова рейка; вилка; роз'єм живлення

171,06 грн

Connector family:
роз'єм живлення
Висота:
12,3мм
Довжина:
14,7мм
Електричний монтаж:
гвинтовий затиск
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 36; THT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 36; THT; 3A; 250V

131,78 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
THT
Резистор: thick film; 27Ом; SMD; 1206; 0,25Вт; ±1%; 200В; -55÷125°C
Резистор: thick film; 27Ом; SMD; 1206; 0,25Вт; ±1%; 200В; -55÷125°C

1,06 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
400В
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Недоступний
Резистор: thick film; 4,3Ом; 0805; 125мВт; ±1%; CRT; -55÷155°C; 2А
Резистор: thick film; 4,3Ом; 0805; 125мВт; ±1%; CRT; -55÷155°C; 2А

0,06 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Опір:
4,3Ом
Недоступний
Резистор: thick film; 105Ом; SMD; 2010; 750мВт; ±1%; 200В; -55÷125°C
Резистор: thick film; 105Ом; SMD; 2010; 750мВт; ±1%; 200В; -55÷125°C

0,79 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2010
Корпус - мм:
5025
Недоступний
Резистор: thick film; SMD; 0603; 47Ом; 100мВт; ±5%; WR; 1,6x0,8мм
Резистор: thick film; SMD; 0603; 47Ом; 100мВт; ±5%; WR; 1,6x0,8мм

0,00 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Зовнішні розміри:
1,6x0,8мм
Корпус - дюйм:
0603
Недоступний
Резистор: thick film; 3,3кОм; SMD; 1210; 250мВт; ±5%; CQ; 200В
Резистор: thick film; 3,3кОм; SMD; 1210; 250мВт; ±5%; CQ; 200В

0,56 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
1210
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 25/-25В; 3,5/-2,3А; 2Вт; SO8
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 25/-25В; 3,5/-2,3А; 2Вт; SO8

46,25 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -30В; -2А; 0,5Вт; PG-TSOP-6; ESD
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -30В; -2А; 0,5Вт; PG-TSOP-6; ESD

50,05 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TSOP-6
Модель:
ESD
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 6,5А; 1,3Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 6,5А; 1,3Вт; SO8

58,92 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
7,5нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -30В; -6,9А; 1,6Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -30В; -6,9А; 1,6Вт; SO8

74,76 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
40нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 4,1А; 0,8Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 4,1А; 0,8Вт; SO8

48,15 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 13 дюймів
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -60В; -3,8А; 1,25Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -60В; -3,8А; 1,25Вт; SO8

119,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -30В; -5,1А; 2,5Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -30В; -5,1А; 2,5Вт; SO8

62,72 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 13 дюймів
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD