Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; польовий; 12В; 4,5А; Idm: 20А

Немає в наявності
Код товару: SIA910EDJ-T1-GE3
17,30 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Крок додавання: 3000
Код товару: SIA910EDJ-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 16нКл
Корпус: PowerPAK® SC70
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±8В
Напруга сток-джерело: 12В
Опір в стані провідності: 42мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 7,8Вт
Струм стока: 4,5А
Струм стоку в імпульсі: 20А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: N-MOSFET x2
Недоступний
Резистор: thin film; 2,32кОм; прецизійний; SMD; 0805; 125мВт; ±0,5%
Резистор: thin film; 2,32кОм; прецизійний; SMD; 0805; 125мВт; ±0,5%

5,89 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1нФ; 100В; X7R; ±10%; SMD; 0402; 330мм
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1нФ; 100В; X7R; ±10%; SMD; 0402; 330мм

0,13 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Недоступний
Підсвічування; LED; 36x27,5x2,6мм; зелений/червоний/білий
Підсвічування; LED; 36x27,5x2,6мм; зелений/червоний/білий

655,73 грн

Колір підсвітки:
зелений/червоний/білий
Підсвітка:
LED
Розміри:
36x27,5x2,6мм
Супутні товари:
EADOGS104
Недоступний
Резистор: thin film; 1,65кОм; прецизійний; SMD; 1206; 250мВт; TFR
Резистор: thin film; 1,65кОм; прецизійний; SMD; 1206; 250мВт; TFR

65,26 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,01%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Роз’єм: провід-плата; штекерний; PIN: 14; кутовий; на PCB; паяння
Роз’єм: провід-плата; штекерний; PIN: 14; кутовий; на PCB; паяння

279,40 грн

Вид роз’єму:
штекерний
Електричний монтаж:
паяння
Кількість пін:
14
Клас горючості:
UL94V-0
Недоступний
Резистор: thick film; 910мОм; SMD; 1210; 500мВт; ±1%; 200В
Резистор: thick film; 910мОм; SMD; 1210; 500мВт; ±1%; 200В

3,15 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
1210
Корпус - мм:
3225
Недоступний
Резистор: thin film; 3,36кОм; SMD; 0402; 63мВт; ±0,1%; RN73R; 50В
Резистор: thin film; 3,36кОм; SMD; 0402; 63мВт; ±0,1%; RN73R; 50В

1,03 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 20/-20В; 1А/-700мА; 350мВт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 20/-20В; 1А/-700мА; 350мВт

21,54 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
1,6/2,2нКл
Корпус:
SOT363
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 6А; Idm: 25А; 1,5Вт; SOT23-6
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 6А; Idm: 25А; 1,5Вт; SOT23-6

22,17 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
12нКл
Корпус:
SOT23-6
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 65В; 40А; Idm: 160А; 27,8Вт
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 65В; 40А; Idm: 160А; 27,8Вт

51,95 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
22,1нКл
Корпус:
PDFN5060-8
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 40/-40В; 10/-8А; 3Вт; SOP8
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 40/-40В; 10/-8А; 3Вт; SOP8

25,98 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
26/30нКл
Корпус:
SOP8
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 40/-40В; 1,6Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 40/-40В; 1,6Вт

55,12 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 13 дюймів
Корпус:
TO252-4
1,5А; Канал: збагачений; 500мВт
1,5А; Канал: збагачений; 500мВт

8,74 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
6,4нКл
Монтаж:
SMD
Потужність розсіювання:
0,5Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; 45В; 4,5А; SOP8
Транзистор: N/P-MOSFET; 45В; 4,5А; SOP8

51,32 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
SOP8
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В