Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; польовий; 12В; 60А; Idm: 80А

Немає в наявності
Код товару: SI7234DP-T1-GE3
72,23 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Крок додавання: 3000
Код товару: SI7234DP-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 0,12мкКл
Корпус: PowerPAK® SO8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±12В
Напруга сток-джерело: 12В
Опір в стані провідності: 5мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 46Вт
Струм стока: 60А
Струм стоку в імпульсі: 80А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: N-MOSFET x2
Недоступний
Резистор: thin film; 5,1кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±0,5%; TC; 75В
Резистор: thin film; 5,1кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±0,5%; TC; 75В

0,84 грн

Допуск:
±0,5%
Імпульсна макс. напруга:
150В
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
PMIC; перетворювач DC/DC; Uвх: 2,25÷5,5ВDC; Uвих: 0,6÷5,5ВDC; 1,3А
PMIC; перетворювач DC/DC; Uвх: 2,25÷5,5ВDC; Uвих: 0,6÷5,5ВDC; 1,3А

461,86 грн

Вид об'єднаної схеми:
перетворювач DC/DC
Вид упаковки:
туба
Вихідна напруга:
0,6...5,5В DC
Вихідний струм:
1,3А
Недоступний
Конденсатор: електролітичний; SMD; 220мкФ; 25ВDC; Ø8x10,5мм; ±20%
Конденсатор: електролітичний; SMD; 220мкФ; 25ВDC; Ø8x10,5мм; ±20%

4,75 грн

Висота:
10,5мм
Діаметр:
8мм
Допуск:
±20%
Ємність:
220мкФ
Недоступний
Резистор: thin film; 267Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±0,1%; TC; 75В
Резистор: thin film; 267Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±0,1%; TC; 75В

1,95 грн

Допуск:
±0,1%
Імпульсна макс. напруга:
150В
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Резистор: thick film; 121кОм; 2512; 1Вт; ±1%; CRT; -55÷155°C; 2А
Резистор: thick film; 121кОм; 2512; 1Вт; ±1%; CRT; -55÷155°C; 2А

0,92 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
2512
Корпус - мм:
6332
Опір:
121кОм
Недоступний
Конденсатор: поліпропиленовий; X2; 10нФ; 275В; THT; ±10%; 15мм
Конденсатор: поліпропиленовий; X2; 10нФ; 275В; THT; ±10%; 15мм

3,02 грн

Вид конденсатора:
X2
Допуск:
±10%
Ємність:
10нФ
Монтаж:
THT
Резистор: thick film; 22кОм; SMD; 0805; 0,125Вт; ±1%; 150В
Резистор: thick film; 22кОм; SMD; 0805; 0,125Вт; ±1%; 150В

0,92 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 65В; 10А; Idm: 40А; 3,1Вт; SOP8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 65В; 10А; Idm: 40А; 3,1Вт; SOP8

25,98 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
14нКл
Корпус:
SOP8
Транзистор: N-MOSFET x2; 30В; 57А; Idm: 48А; HSOP8; ESD
Транзистор: N-MOSFET x2; 30В; 57А; Idm: 48А; HSOP8; ESD

34,47 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
16,8нКл
Корпус:
HSOP8
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET x2; 500мА; 200мВт
Транзистор: N-MOSFET x2; 500мА; 200мВт

4,56 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
1,23нКл
Монтаж:
SMD
Потужність розсіювання:
0,2Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; 100В; 20Вт; HSOP8
Транзистор: N/P-MOSFET; 100В; 20Вт; HSOP8

35,86 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
HSOP8
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 1,3Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 1,3Вт

32,31 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Заряд затвора:
7,5/9,6нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 6,1А; 1,28Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 6,1А; 1,28Вт; SO8

17,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
6нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 0,96Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 0,96Вт

45,62 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
6,6/5,7нКл