Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; польовий; 30В; 19А; Idm: 90А

Немає в наявності
Код товару: SQJ914EP-T1_GE3
30,09 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Крок додавання: 3000
Код товару: SQJ914EP-T1_GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 15нКл
Корпус: PowerPAK® SO8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 30В
Опір в стані провідності: 12мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 27Вт
Струм стока: 19А
Струм стоку в імпульсі: 90А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: N-MOSFET x2
Недоступний
Connector: pin strips; data; PIN: 34; THT; 3A; vertical; 2.54mm
Connector: pin strips; data; PIN: 34; THT; 3A; vertical; 2.54mm

154,59 грн

Connector family:
data
Електричний монтаж:
THT
Кількість пін:
34
Клас горючості:
UL94V-0
Недоступний
Конденсатор: поліестровий; 1,5мкФ; 63ВAC; 100ВDC; 15мм; ±10%; MKT
Конденсатор: поліестровий; 1,5мкФ; 63ВAC; 100ВDC; 15мм; ±10%; MKT

46,63 грн

Допуск:
±10%
Ємність:
1,5мкФ
Кліматична категорія:
55/125/56; IEC 60068-1
Монтаж:
THT
Резистор: thick film; 13кОм; SMD; 0805; 125мВт,250мВт; ±1%
Резистор: thick film; 13кОм; SMD; 0805; 125мВт,250мВт; ±1%

0,17 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Недоступний
Резистор: thick film; 18Ом; SMD; 0201; 50мВт; ±5%; RK73B; 25В
Резистор: thick film; 18Ом; SMD; 0201; 50мВт; ±5%; RK73B; 25В

0,23 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
50В
Корпус - дюйм:
0201
Недоступний
Резистор: thin film; 626Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,1%; MCT0603; 0
Резистор: thin film; 626Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,1%; MCT0603; 0

13,94 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±0,1%
Кількість в наборі/упаковці:
1000шт.
Корпус - дюйм:
0603
Діод: випрямний Шотткі; THT; 100В; 20Аx2; TO247; Ufmax: 0,73В; туба
Діод: випрямний Шотткі; THT; 100В; 20Аx2; TO247; Ufmax: 0,73В; туба

152,69 грн

Вид упаковки:
туба
Зворотна напруга макс.:
0,1кВ
Корпус:
TO247
Монтаж:
THT
Недоступний
Резистор: thin film; 3,65кОм; прецизійний; SMD; 0201; 50мВт; ±0,5%
Резистор: thin film; 3,65кОм; прецизійний; SMD; 0201; 50мВт; ±0,5%

4,50 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0201
Корпус - мм:
0603
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 40В; 10А; Idm: 40А; 3Вт; SOP8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 40В; 10А; Idm: 40А; 3Вт; SOP8

28,51 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
25,8нКл
Корпус:
SOP8
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 20/-20В; 1,4Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 20/-20В; 1,4Вт

52,58 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
4/7нКл
Транзистор: N-MOSFET x2; 30В; 57А; Idm: 48А; HSOP8; ESD
Транзистор: N-MOSFET x2; 30В; 57А; Idm: 48А; HSOP8; ESD

34,47 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
16,8нКл
Корпус:
HSOP8
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET x2; 500мА; 200мВт
Транзистор: N-MOSFET x2; 500мА; 200мВт

4,56 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
1,23нКл
Монтаж:
SMD
Потужність розсіювання:
0,2Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; 100В; 20Вт; HSOP8
Транзистор: N/P-MOSFET; 100В; 20Вт; HSOP8

35,86 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
HSOP8
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 1,3Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 1,3Вт

32,31 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Заряд затвора:
7,5/9,6нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 6,1А; 1,28Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 6,1А; 1,28Вт; SO8

17,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
6нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD