Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; польовий; 30В; 26,9А; 16,7Вт

Немає в наявності
Код товару: SIZ342DDT-T1-GE3
15,46 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 6000
Крок додавання: 3000
Код товару: SIZ342DDT-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 3,7нКл
Корпус: PowerPAIR® 3x3
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: -16...20В
Напруга сток-джерело: 30В
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 16,7Вт
Структура напівпровідника: асиметрична
Струм стока: 26,9А
Струм стоку в імпульсі: 100А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: N-MOSFET x2
Недоступний
Резистор: thin film; 4,3кОм; SMD; 0603; 0,21Вт; ±0,5%; MCT0603; M
Резистор: thin film; 4,3кОм; SMD; 0603; 0,21Вт; ±0,5%; MCT0603; M

2,53 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр роліка макс.:
330мм
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0603
Недоступний
Резистор: thin film; 750Ом; SMD; 0805; 125мВт; ±0,5%; TC; 150В
Резистор: thin film; 750Ом; SMD; 0805; 125мВт; ±0,5%; TC; 150В

0,70 грн

Допуск:
±0,5%
Імпульсна макс. напруга:
300В
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Patch cord; S/FTP; Cat 6a; RJ45 вилка,з обох сторін; 20м; тросик
Patch cord; S/FTP; Cat 6a; RJ45 вилка,з обох сторін; 20м; тросик

500,51 грн

Будова екрану:
обплетення з алюмінієвих дротів; пари екрановані фольгою AL-PET; подвійно екранований
Будова жили:
тросик
Вид жили:
Cca
Вид кабелю:
S/FTP
Недоступний
Резистор: thick film; 510Ом; SMD; 0508; 1Вт; ±1%; CRW; -55÷155°C
Резистор: thick film; 510Ом; SMD; 0508; 1Вт; ±1%; CRW; -55÷155°C

0,30 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0508
Корпус - мм:
1220
Монтаж:
SMD
Недоступний
Резистор: thick film; 165кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; HV; 500В
Резистор: thick film; 165кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; HV; 500В

0,72 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
1кВ
Корпус - дюйм:
1206
Недоступний
Провід; Alpha Essential C&C; 6x24AWG; ПВХ; темно-сірий; 300В; 305м
Провід; Alpha Essential C&C; 6x24AWG; ПВХ; темно-сірий; 300В; 305м

51175,30 грн

Будова екрану:
обплітка з луджених мідних дротів; плівка AL-PET; подвійно екранований
Будова жили:
тросик
Вид жили:
Cu; луджена
Відповідність стандарту:
C(UL) TYPE CM; UL 2919; UL CM; VW-1
Недоступний
Резистор: thick film; 56Ом; SMD; 0201; 50мВт; ±1%; ERJ1GNF; 25В
Резистор: thick film; 56Ом; SMD; 0201; 50мВт; ±1%; ERJ1GNF; 25В

0,34 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
50В
Корпус - дюйм:
0201
Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; польовий; 40В; 60А; Idm: 80А
Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; польовий; 40В; 60А; Idm: 80А

115,31 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
65нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 56А; Idm: 100А; 31Вт; ESD
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 56А; Idm: 100А; 31Вт; ESD

40,55 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
27,8нКл
Корпус:
DFN3030-8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 40В; 28,5А; Idm: 180А; 31,6Вт
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 40В; 28,5А; Idm: 180А; 31,6Вт

32,31 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
5,6нКл
Корпус:
PDFN5060-8
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -30В; -9А; Idm: -36А; 2,8Вт; SOP8
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -30В; -9А; Idm: -36А; 2,8Вт; SOP8

40,55 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
30нКл
Корпус:
SOP8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 32А; Idm: 128А; 55Вт
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 32А; Idm: 128А; 55Вт

83,63 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
27нКл
Транзистор: N-MOSFET x2; 30В; 1,9Вт
Транзистор: N-MOSFET x2; 30В; 1,9Вт

23,50 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
13,2нКл
Монтаж:
SMD
Напруга сток-джерело:
30В
1,5А; Канал: збагачений; 500мВт
1,5А; Канал: збагачений; 500мВт

8,74 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
6,4нКл
Монтаж:
SMD
Потужність розсіювання:
0,5Вт