Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; польовий; 30В; 3,7А; Idm: 15А

Немає в наявності
Код товару: SI3932DV-T1-GE3
15,84 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Крок додавання: 3000
Код товару: SI3932DV-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 6нКл
Корпус: SC74; TSOP6
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 30В
Опір в стані провідності: 73мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 1,4Вт
Струм стока: 3,7А
Струм стоку в імпульсі: 15А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: N-MOSFET x2
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 15пФ; 50В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0805
Конденсатор: керамічний; MLCC; 15пФ; 50В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0805

1,01 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 240ВAC; DPDT; Iконтактів max: 10А
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 240ВAC; DPDT; Iконтактів max: 10А

1465,41 грн

Висота:
57,1мм
Конфігурація контактів:
DPDT
Макс. струм контактів:
10А
Матеріал контакту:
AgCdO
Недоступний
Резистор: thick film; 750Ом; SMD; 0805; 125мВт; ±5%; CQ; 150В
Резистор: thick film; 750Ом; SMD; 0805; 125мВт; ±5%; CQ; 150В

0,11 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
300В
Корпус - дюйм:
0805
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 20/-20В; 1А/-700мА; 350мВт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 20/-20В; 1А/-700мА; 350мВт

21,54 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
1,6/2,2нКл
Корпус:
SOT363
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 6А; Idm: 25А; 1,5Вт; SOT23-6
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 6А; Idm: 25А; 1,5Вт; SOT23-6

22,17 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
12нКл
Корпус:
SOT23-6
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 65В; 40А; Idm: 160А; 27,8Вт
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 65В; 40А; Idm: 160А; 27,8Вт

51,95 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
22,1нКл
Корпус:
PDFN5060-8
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 40/-40В; 10/-8А; 3Вт; SOP8
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 40/-40В; 10/-8А; 3Вт; SOP8

25,98 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
26/30нКл
Корпус:
SOP8
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 40/-40В; 1,6Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 40/-40В; 1,6Вт

55,12 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 13 дюймів
Корпус:
TO252-4
1,5А; Канал: збагачений; 500мВт
1,5А; Канал: збагачений; 500мВт

8,74 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
6,4нКл
Монтаж:
SMD
Потужність розсіювання:
0,5Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; 45В; 4,5А; SOP8
Транзистор: N/P-MOSFET; 45В; 4,5А; SOP8

51,32 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
SOP8
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В