1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори багатоканальні

Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; польовий; 30В; 4,5А; Idm: 15А

Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; польовий; 30В; 4,5А; Idm: 15А
Немає в наявності
Код товару: SIA918EDJ-T1-GE3
12,42 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Крок додавання: 3000
Код товару: SIA918EDJ-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 9,5нКл
Корпус: PowerPAK® SC70
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±8В
Напруга сток-джерело: 30В
Опір в стані провідності: 77мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 7,8Вт
Струм стока: 4,5А
Струм стоку в імпульсі: 15А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: N-MOSFET x2
Недоступний
Резистор: thin film; 62,6кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; RN73H; 200В
Резистор: thin film; 62,6кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; RN73H; 200В

5,58 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
400В
Корпус - дюйм:
1206
Недоступний
IC: FPGA; SMD; FBGA484; Число макровічок: 75264; I/O: 341; 272МГц
IC: FPGA; SMD; FBGA484; Число макровічок: 75264; I/O: 341; 272МГц

33781,09 грн

Вид упаковки:
лоток
Кількість входів/виходів:
341
Кількісь затворів:
3м
Корпус:
FBGA484
Недоступний
Резистор: thick film; 475Ом; THT; TO220; 50Вт; ±1%; 500В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 475Ом; THT; TO220; 50Вт; ±1%; 500В; -55÷155°C

674,73 грн

Властивості резисторів:
необхідний додатковий радіатор
Допуск:
±1%
Корпус:
TO220
Монтаж:
THT
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 15пФ; 50В; X8G; ±5%; SMD; 0603; 330мм
Конденсатор: керамічний; MLCC; 15пФ; 50В; X8G; ±5%; SMD; 0603; 330мм

1,30 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
X8G
Допуск:
±5%
Недоступний
Резистор: thin film; 530Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,25%; MCT0603; 0
Резистор: thin film; 530Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,25%; MCT0603; 0

2,92 грн

Діаметр роліка макс.:
330мм
Допуск:
±0,25%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Резистор: thick film; 180Ом; SMD; 1206; 500мВт; ±1%; HQ; 200В
Резистор: thick film; 180Ом; SMD; 1206; 500мВт; ±1%; HQ; 200В

0,75 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
400В
Корпус - дюйм:
1206
Недоступний
Резистор: thick film; 3,9Ом; SMD; 0603; 250мВт; ±0,5%; ERJH3QD
Резистор: thick film; 3,9Ом; SMD; 0603; 250мВт; ±0,5%; ERJH3QD

4,94 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 65В; 10А; Idm: 40А; 3,1Вт; SOP8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 65В; 10А; Idm: 40А; 3,1Вт; SOP8

25,98 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
14нКл
Корпус:
SOP8
Транзистор: N-MOSFET x2; 30В; 57А; Idm: 48А; HSOP8; ESD
Транзистор: N-MOSFET x2; 30В; 57А; Idm: 48А; HSOP8; ESD

34,47 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
16,8нКл
Корпус:
HSOP8
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET x2; 500мА; 200мВт
Транзистор: N-MOSFET x2; 500мА; 200мВт

4,56 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
1,23нКл
Монтаж:
SMD
Потужність розсіювання:
0,2Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; 100В; 20Вт; HSOP8
Транзистор: N/P-MOSFET; 100В; 20Вт; HSOP8

35,86 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
HSOP8
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 1,3Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 1,3Вт

32,31 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Заряд затвора:
7,5/9,6нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 6,1А; 1,28Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 6,1А; 1,28Вт; SO8

17,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
6нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 0,96Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 0,96Вт

45,62 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
6,6/5,7нКл