1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори багатоканальні

Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; польовий; 30В; 6,8А; Idm: 20А

Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; польовий; 30В; 6,8А; Idm: 20А
Немає в наявності
Код товару: SI7212DN-T1-GE3
32,56 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Крок додавання: 3000
Код товару: SI7212DN-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 11нКл
Корпус: PowerPAK® 1212-8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±12В
Напруга сток-джерело: 30В
Опір в стані провідності: 39мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 2,6Вт
Струм стока: 6,8А
Струм стоку в імпульсі: 20А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: N-MOSFET x2
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,2мкФ; 6,3В; X7R; ±20%; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,2мкФ; 6,3В; X7R; ±20%; SMD; 0603

1,39 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±20%
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 7,3пФ; 200В; C0G (NP0); ±0,05пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 7,3пФ; 200В; C0G (NP0); ±0,05пФ; SMD

6,65 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
7,3пФ
Недоступний
Роз’єм: круглі; вилка; PIN: 12; промислова; RM15; прямий; паяння
Роз’єм: круглі; вилка; PIN: 12; промислова; RM15; прямий; паяння

1326,66 грн

Connector family:
промислова
Engineering PN:
CL0109-0981-9-81
Електричний монтаж:
паяння
Кількість пін:
12
Недоступний
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 12ВDC; DPDT; 2А; 0,5A/125ВAC; THT
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 12ВDC; DPDT; 2А; 0,5A/125ВAC; THT

51,32 грн

Електрична стійкість:
100000 цикли
Кількість пін:
10
Конструкція:
одна обмотка
Конфігурація контактів:
DPDT
Недоступний
Резистор: thick film; 180кОм; SMD; 0805; 330мВт; ±5%; NS; 150В
Резистор: thick film; 180кОм; SMD; 0805; 330мВт; ±5%; NS; 150В

0,64 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
300В
Корпус - дюйм:
0805
Резистор: thick film; 18кОм; SMD; 0603; 0,1Вт; ±5%; 75В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 18кОм; SMD; 0603; 0,1Вт; ±5%; 75В; -55÷155°C

1,07 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Монтаж:
SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 220нФ; 50ВDC; X7R; ±10%; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; MLCC; 220нФ; 50ВDC; X7R; ±10%; SMD; 0603

5,07 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Ємність:
0,22мкФ
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 800мА; Idm: 3А; 300мВт; ESD
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 800мА; Idm: 3А; 300мВт; ESD

18,37 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
1,1нКл
Корпус:
SOT363
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 340мА; Idm: 1,36А; 200мВт
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 340мА; Idm: 1,36А; 200мВт

23,44 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
1,06нКл
Корпус:
SOT363
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -30В; -30А; Idm: -120А; 29Вт
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -30В; -30А; Idm: -120А; 29Вт

28,51 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
20,5нКл
Корпус:
PDFN3030-8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 57А; Idm: 228А; 62,5Вт
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 57А; Idm: 228А; 62,5Вт

95,67 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
17нКл
Корпус:
PowerFLAT 5x6
Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; 30В; 48,1Вт
Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; 30В; 48,1Вт

60,19 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
6,7нКл
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
-12...16В
Транзистор: N-MOSFET x2; Trench; польовий; 30В; 7А; 2Вт; SOP8
Транзистор: N-MOSFET x2; Trench; польовий; 30В; 7А; 2Вт; SOP8

53,85 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
9,5нКл
Корпус:
SOP8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N/P-MOSFET; 30В; 6А; 1,5Вт; TSMT8
Транзистор: N/P-MOSFET; 30В; 6А; 1,5Вт; TSMT8

27,69 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
TSMT8
Монтаж:
SMD
Напруга сток-джерело:
30В