1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори багатоканальні

Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; польовий; 30В; 6А; Idm: 24А

Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; польовий; 30В; 6А; Idm: 24А
Немає в наявності
Код товару: SI5922DU-T1-GE3
12,42 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Крок додавання: 3000
Код товару: SI5922DU-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 15нКл
Корпус: ChipFET8
Корпус - дюйм: 1206
Корпус - мм: 3216
Монтаж: SMD
Напруга сток-джерело: 30В
Опір в стані провідності: 24,5мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 10,4Вт
Струм стока: 6А
Струм стоку в імпульсі: 24А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: N-MOSFET x2
Недоступний
Резистор: thick film; 2,74кОм; SMD; 0612; 1Вт; ±1%; CRW; -55÷155°C
Резистор: thick film; 2,74кОм; SMD; 0612; 1Вт; ±1%; CRW; -55÷155°C

0,73 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0612
Корпус - мм:
1632
Монтаж:
SMD
Недоступний
Резистор: thin film; 38,3кОм; прецизійний; SMD; 0603; 100мВт; ±0,5%
Резистор: thin film; 38,3кОм; прецизійний; SMD; 0603; 100мВт; ±0,5%

5,89 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 5,9пФ; 100В; X8G; ±0,25пФ; SMD; 0201
Конденсатор: керамічний; MLCC; 5,9пФ; 100В; X8G; ±0,25пФ; SMD; 0201

0,36 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X8G
Ємність:
5,9пФ
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 2Вт; Uвих: 12ВDC; SIP7; THT; AM2D-RZ; ККД: 87%
Перетворювач: DC/DC; 2Вт; Uвих: 12ВDC; SIP7; THT; AM2D-RZ; ККД: 87%

297,77 грн

Вихідна напруга:
12В DC
Кількість виходів:
1
ККД:
87%
Корпус:
SIP7
Недоступний
Конденсатор: танталовий; 0,47мкФ; 25ВDC; SMD; A; 1206; ±10%; TAJ
Конденсатор: танталовий; 0,47мкФ; 25ВDC; SMD; A; 1206; ±10%; TAJ

8,74 грн

Діаметр роліка макс.:
330мм
Допуск:
±10%
Ємність:
0,47мкФ
Корпус:
A
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 10Вт; Uвх: 18÷75ВDC; Uвих: 12ВDC; Iвих: 416мА
Перетворювач: DC/DC; 10Вт; Uвх: 18÷75ВDC; Uвих: 12ВDC; Iвих: 416мА

2474,03 грн

Вихідна напруга:
12В DC
Вихідна напруга 2:
-12В DC
Вихідний струм:
0,416А
Вхідна напруга:
18...75В DC
Недоступний
Напівботи; Розмір: 44; зелено-сірий; текстиль; ковзання,удари
Напівботи; Розмір: 44; зелено-сірий; текстиль; ковзання,удари

4839,08 грн

Відповідність стандарту:
EN ISO 20345:2022; S1PS
Колір:
зелено-сірий
Матеріал:
текстиль
Модель:
з композитним носком
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 25/-25В; 3,5/-2,3А; 2Вт; SO8
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 25/-25В; 3,5/-2,3А; 2Вт; SO8

46,25 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -30В; -2А; 0,5Вт; PG-TSOP-6; ESD
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -30В; -2А; 0,5Вт; PG-TSOP-6; ESD

50,05 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TSOP-6
Модель:
ESD
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 6,5А; 1,3Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 6,5А; 1,3Вт; SO8

58,92 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
7,5нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -30В; -6,9А; 1,6Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -30В; -6,9А; 1,6Вт; SO8

74,76 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
40нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 4,1А; 0,8Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 4,1А; 0,8Вт; SO8

48,15 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 13 дюймів
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -60В; -3,8А; 1,25Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -60В; -3,8А; 1,25Вт; SO8

119,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -30В; -5,1А; 2,5Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -30В; -5,1А; 2,5Вт; SO8

62,72 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 13 дюймів
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD