1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори багатоканальні

Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; польовий; 30В; 6А; Idm: 40А

Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; польовий; 30В; 6А; Idm: 40А
Немає в наявності
Код товару: SIS932EDN-T1-GE3
35,48 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: SIS932EDN-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 14нКл
Корпус: PowerPAK® 1212-8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±12В
Напруга сток-джерело: 30В
Опір в стані провідності: 26мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 14,8Вт
Струм стока: 6А
Струм стоку в імпульсі: 40А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: N-MOSFET x2
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 12; THT; 1.5A
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 12; THT; 1.5A

156,49 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Довжина контакту:
11,7мм
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 220нФ; 630В; X7R; ±10%; SMD; 2220
Конденсатор: керамічний; MLCC; 220нФ; 630В; X7R; ±10%; SMD; 2220

12,99 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 6,8нФ; 50В; X7R; ±10%; SMD; 1206
Конденсатор: керамічний; MLCC; 6,8нФ; 50В; X7R; ±10%; SMD; 1206

0,98 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Ємність:
6,8нФ
Роз’єм: провід-плата; гніздо; гніздовий; Uном: 600В; PIN: 1; прямий
Роз’єм: провід-плата; гніздо; гніздовий; Uном: 600В; PIN: 1; прямий

781,81 грн

Вид роз’єму:
гніздовий
Електричний монтаж:
SMT; затискання
Кількість пін:
1
Максимальна напруга:
0,6кВ
Недоступний
Конденсатор: електролітичний; THT; 100мкФ; 25ВDC; Ø6,3x12мм; ±20%
Конденсатор: електролітичний; THT; 100мкФ; 25ВDC; Ø6,3x12мм; ±20%

2,43 грн

Висота:
12мм
Діаметр:
6,3мм
Допуск:
±20%
Ємність:
100мкФ
Недоступний
Дисплей: TFT; 7"; 1024x600; Підсв: LED; Вим: 164,9x100x7,6мм; RGB
Дисплей: TFT; 7"; 1024x600; Підсв: LED; Вим: 164,9x100x7,6мм; RGB

6889,90 грн

Cенсорна панель:
ємкісний
Вид дисплея:
графічний
Діагональ екрану:
7"
Інтерфейс:
I2C; LVDS
Недоступний
Резистор: thin film; 200Ом; SMD; 0805; 125мВт; ±0,1%; TC; 150В
Резистор: thin film; 200Ом; SMD; 0805; 125мВт; ±0,1%; TC; 150В

2,19 грн

Допуск:
±0,1%
Імпульсна макс. напруга:
300В
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 25/-25В; 3,5/-2,3А; 2Вт; SO8
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 25/-25В; 3,5/-2,3А; 2Вт; SO8

46,25 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -30В; -2А; 0,5Вт; PG-TSOP-6; ESD
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -30В; -2А; 0,5Вт; PG-TSOP-6; ESD

50,05 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TSOP-6
Модель:
ESD
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 6,5А; 1,3Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 6,5А; 1,3Вт; SO8

58,92 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
7,5нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -30В; -6,9А; 1,6Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -30В; -6,9А; 1,6Вт; SO8

74,76 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
40нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 4,1А; 0,8Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 4,1А; 0,8Вт; SO8

48,15 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 13 дюймів
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -60В; -3,8А; 1,25Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -60В; -3,8А; 1,25Вт; SO8

119,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -30В; -5,1А; 2,5Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -30В; -5,1А; 2,5Вт; SO8

62,72 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 13 дюймів
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD