1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори багатоканальні

Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; польовий; 40В; 27,3А; Idm: 70А

Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; польовий; 40В; 27,3А; Idm: 70А
Немає в наявності
Код товару: SISB46DN-T1-GE3
82,36 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: SISB46DN-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 22нКл
Корпус: PowerPAK® 1212-8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: -16...20В
Напруга сток-джерело: 40В
Опір в стані провідності: 15,8мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 14,8Вт
Струм стока: 27,3А
Струм стоку в імпульсі: 70А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: N-MOSFET x2
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1нФ; 25В; X7R; ±5%; SMD; 0201; 180мм
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1нФ; 25В; X7R; ±5%; SMD; 0201; 180мм

4,43 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±5%
Patch cord; U/UTP; Cat 6; RJ45 вилка,з обох сторін; 0,5м; тросик
Patch cord; U/UTP; Cat 6; RJ45 вилка,з обох сторін; 0,5м; тросик

42,45 грн

Будова екрану:
неекранований
Будова жили:
тросик
Вид жили:
Cca
Вид кабелю:
U/UTP
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1мкФ; 50В; X7R; ±10%; SMD; 1206; 180мм
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1мкФ; 50В; X7R; ±10%; SMD; 1206; 180мм

22,81 грн

Alias:
KGF31GR71H105KU
Вид конденсатора:
MLCC
Властивості конденсаторів:
гнучкі закінчення
Діаметр роліка макс.:
180мм
Недоступний
Резистор: thick film; 5,1Ом; SMD; 2512; 1Вт; ±1%; 200В; -55÷125°C
Резистор: thick film; 5,1Ом; SMD; 2512; 1Вт; ±1%; 200В; -55÷125°C

2,10 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2512
Корпус - мм:
6432
Недоступний
Резистор: thin film; 53,6Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,1%; MCT0603; 0
Резистор: thin film; 53,6Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,1%; MCT0603; 0

5,51 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Резистор: thin film; 7,77кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,1%; MCT0603; 0
Резистор: thin film; 7,77кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,1%; MCT0603; 0

20,21 грн

Діаметр роліка макс.:
330мм
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Резистор: thick film; 51кОм; SMD; 1210; 500мВт; ±5%; HV; 800В
Резистор: thick film; 51кОм; SMD; 1210; 500мВт; ±5%; HV; 800В

1,67 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
1,5кВ
Корпус - дюйм:
1210
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 65В; 10А; Idm: 40А; 3,1Вт; SOP8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 65В; 10А; Idm: 40А; 3,1Вт; SOP8

25,98 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
14нКл
Корпус:
SOP8
Транзистор: N-MOSFET x2; 30В; 57А; Idm: 48А; HSOP8; ESD
Транзистор: N-MOSFET x2; 30В; 57А; Idm: 48А; HSOP8; ESD

34,47 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
16,8нКл
Корпус:
HSOP8
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET x2; 500мА; 200мВт
Транзистор: N-MOSFET x2; 500мА; 200мВт

4,56 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
1,23нКл
Монтаж:
SMD
Потужність розсіювання:
0,2Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; 100В; 20Вт; HSOP8
Транзистор: N/P-MOSFET; 100В; 20Вт; HSOP8

35,86 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
HSOP8
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 1,3Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 1,3Вт

32,31 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Заряд затвора:
7,5/9,6нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 6,1А; 1,28Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 6,1А; 1,28Вт; SO8

17,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
6нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 0,96Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 0,96Вт

45,62 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
6,6/5,7нКл