Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; польовий; 40В; 30А; Idm: 120А

Немає в наявності
Код товару: SQJB44EP-T1_JE3
38,01 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Крок додавання: 3000
Код товару: SQJB44EP-T1_JE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Корпус: PowerPAK® SO8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 40В
Опір в стані провідності: 5,2мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 48Вт
Струм стока: 30А
Струм стоку в імпульсі: 120А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: N-MOSFET x2
IC: стабілізатор напруги; лінійний,нерегульований; 18В; 0,1А
IC: стабілізатор напруги; лінійний,нерегульований; 18В; 0,1А

11,40 грн

Вид стабілізатора напруги:
лінійний; нерегульований
Вид упаковки:
розсипний
Вихідна напруга:
18В
Вихідний струм:
0,1А
Недоступний
Резистор: thick film; 1,18Ом; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 1,18Ом; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; -55÷155°C

0,33 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 5ВDC; SPST-NO; RT1; макс.250ВAC
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 5ВDC; SPST-NO; RT1; макс.250ВAC

257,86 грн

Висота:
15,7мм
Зовнішні розміри:
29x12,7x15,7мм
Конфігурація контактів:
SPST-NO
Макс. струм контактів:
16А
Недоступний
Електроізоляційна трубка; скловолокно; -55÷260°C; L: 30м
Електроізоляційна трубка; скловолокно; -55÷260°C; L: 30м

1326,66 грн

Вживання кабельних аксесуарів:
захисна трубка
Властивості кабельних аксесуарів:
безгалогенні; низьке виділення диму
Діаметр зовнішній:
44мм
Довжина:
30м
Недоступний
Діод: випрямний Шотткі; THT; 45В; 10Аx2; TO220AB; Ufmax: 0,76В; туба
Діод: випрямний Шотткі; THT; 45В; 10Аx2; TO220AB; Ufmax: 0,76В; туба

138,75 грн

Вид упаковки:
туба
Ємність:
900пФ
Зворотна напруга макс.:
45В
Кількість в наборі/упаковці:
50шт.
Недоступний
Резистор: thick film; 1Ом; пригвинчуваний; 100Вт; ±5%; RTS; 2,5кВ
Резистор: thick film; 1Ом; пригвинчуваний; 100Вт; ±5%; RTS; 2,5кВ

637,99 грн

Виводи:
гвинти M4
Властивості резисторів:
необхідний додатковий радіатор
Допуск:
±5%
Кількість монтажних отворів:
2
Недоступний
Резистор: thick film; 160Ом; SMD; 0603; 60мВт; ±5%; CQ; 75В
Резистор: thick film; 160Ом; SMD; 0603; 60мВт; ±5%; CQ; 75В

0,06 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
150В
Корпус - дюйм:
0603
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 40В; 10А; Idm: 40А; 3Вт; SOP8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 40В; 10А; Idm: 40А; 3Вт; SOP8

28,51 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
25,8нКл
Корпус:
SOP8
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 20/-20В; 1,4Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 20/-20В; 1,4Вт

52,58 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
4/7нКл
Транзистор: N-MOSFET x2; 30В; 57А; Idm: 48А; HSOP8; ESD
Транзистор: N-MOSFET x2; 30В; 57А; Idm: 48А; HSOP8; ESD

34,47 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
16,8нКл
Корпус:
HSOP8
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET x2; 500мА; 200мВт
Транзистор: N-MOSFET x2; 500мА; 200мВт

4,56 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
1,23нКл
Монтаж:
SMD
Потужність розсіювання:
0,2Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; 100В; 20Вт; HSOP8
Транзистор: N/P-MOSFET; 100В; 20Вт; HSOP8

35,86 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
HSOP8
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 1,3Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 1,3Вт

32,31 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Заряд затвора:
7,5/9,6нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 6,1А; 1,28Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 6,1А; 1,28Вт; SO8

17,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
6нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD