Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; польовий; 40В; 40А; Idm: 100А

Немає в наявності
Код товару: SIRB40DP-T1-GE3
122,28 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: SIRB40DP-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 93нКл
Корпус: PowerPAK® SO8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: -16...20В
Напруга сток-джерело: 40В
Опір в стані провідності: 4,2мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 29,6Вт
Струм стока: 40А
Струм стоку в імпульсі: 100А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: N-MOSFET x2
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,7мкФ; 16В; X6S; ±10%; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,7мкФ; 16В; X6S; ±10%; SMD; 0603

1,62 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
X6S
Допуск:
±10%
Недоступний
Конденсатор: танталово-полімерний; 220мкФ; SMD; 10ВDC; D; 2917
Конденсатор: танталово-полімерний; 220мкФ; SMD; 10ВDC; D; 2917

39,91 грн

Допуск:
±20%
Ємність:
220мкФ
Корпус:
D
Корпус - дюйм:
2917
Недоступний
Резистор: thick film; 36Ом; SMD; 1225; 2Вт; ±1%; CRW; -55÷155°C
Резистор: thick film; 36Ом; SMD; 1225; 2Вт; ±1%; CRW; -55÷155°C

2,98 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
1225
Корпус - мм:
3264
Монтаж:
SMD
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 6Вт; Uвх: 9÷36ВDC; Uвих: 18ВDC; Uвих.2: -18ВDC
Перетворювач: DC/DC; 6Вт; Uвх: 9÷36ВDC; Uвих: 18ВDC; Uвих.2: -18ВDC

1055,50 грн

Вихідна напруга:
18В DC
Вихідна напруга 2:
-18В DC
Вихідний струм:
165мА
Вхідна напруга:
9...36В DC
Недоступний
Діод: випрямний; THT; 800В; 45А; Ifsm: 380А; TO247AD; туба
Діод: випрямний; THT; 800В; 45А; Ifsm: 380А; TO247AD; туба

82,36 грн

Вид упаковки:
туба
Зворотна напруга макс.:
0,8кВ
Корпус:
TO247AD
Монтаж:
THT
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 8,2пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 8,2пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD

0,29 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
8,2пФ
Резистор: thick film; 330Ом; SMD; 0805; 0,125Вт; ±1%; 150В
Резистор: thick film; 330Ом; SMD; 0805; 0,125Вт; ±1%; 150В

0,87 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
300В
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 20/-20В; 1,4Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 20/-20В; 1,4Вт

52,58 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
4/7нКл
Транзистор: P-MOSFET x2; -20В; -3А; 2Вт
Транзистор: P-MOSFET x2; -20В; -3А; 2Вт

16,16 грн

Вид каналу:
збагачений
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±8В
Напруга сток-джерело:
-20В
Транзистор: N/P-MOSFET
Транзистор: N/P-MOSFET

15,08 грн

Вид каналу:
збагачений
Тип транзистора:
N/P-MOSFET
Транзистор: N/P-MOSFET; 40В; 20Вт; HSOP8
Транзистор: N/P-MOSFET; 40В; 20Вт; HSOP8

35,73 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
HSOP8
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 6,5А; 1,44Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 6,5А; 1,44Вт; SO8

13,94 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
3,5нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 20/-20В; 1,12Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 20/-20В; 1,12Вт

16,47 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Корпус:
SOT26
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 60/-60В; 1,56Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 60/-60В; 1,56Вт

40,55 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 13 дюймів
Корпус:
SO8