Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; польовий; 40В; 60А; Idm: 80А

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: SI7938DP-T1-GE3
115,31 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: SI7938DP-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 65нКл
Корпус: PowerPAK® SO8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 40В
Опір в стані провідності: 7мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 46Вт
Струм стока: 60А
Струм стоку в імпульсі: 80А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: N-MOSFET x2
LED; 5мм; теплий білий; 22000÷25000мкд; 90°; Голівка: опукла
LED; 5мм; теплий білий; 22000÷25000мкд; 90°; Голівка: опукла

62,72 грн

Голівка:
опукла
Діаметр діода ДУВ:
5мм
Кількість виводів:
2
Колір діода LED:
теплий білий
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 10нФ; 4В; X6S; ±20%; SMD; 01005; 180мм
Конденсатор: керамічний; MLCC; 10нФ; 4В; X6S; ±20%; SMD; 01005; 180мм

0,11 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X6S
Допуск:
±20%
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 9,7пФ; 100В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 9,7пФ; 100В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD

0,42 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
9,7пФ
PMIC; перетворювач DC/DC; Uвх: 4,5÷60ВDC; Uвих: 1,2÷57ВDC; 0,5А
PMIC; перетворювач DC/DC; Uвх: 4,5÷60ВDC; Uвих: 1,2÷57ВDC; 0,5А

398,51 грн

Вид об'єднаної схеми:
перетворювач DC/DC
Вид упаковки:
туба
Вихідна напруга:
1,2...57В DC
Вихідний струм:
0,5А
IC: цифровий; NOR; IN: 8; SMD; TSSOP14; -40÷125°C; 3,6нс; VHC
IC: цифровий; NOR; IN: 8; SMD; TSSOP14; -40÷125°C; 3,6нс; VHC

15,08 грн

Вид затвору:
NOR
Корпус:
TSSOP14
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
-40...125°C
Недоступний
Резистор: thick film; 2,2кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±0,5%; ERJ3RBD
Резистор: thick film; 2,2кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±0,5%; ERJ3RBD

0,82 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 25/-25В; 3,5/-2,3А; 2Вт; SO8
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 25/-25В; 3,5/-2,3А; 2Вт; SO8

46,25 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -30В; -2А; 0,5Вт; PG-TSOP-6; ESD
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -30В; -2А; 0,5Вт; PG-TSOP-6; ESD

50,05 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TSOP-6
Модель:
ESD
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 6,5А; 1,3Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 6,5А; 1,3Вт; SO8

58,92 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
7,5нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -30В; -6,9А; 1,6Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -30В; -6,9А; 1,6Вт; SO8

74,76 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
40нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 4,1А; 0,8Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 4,1А; 0,8Вт; SO8

48,15 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 13 дюймів
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -60В; -3,8А; 1,25Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -60В; -3,8А; 1,25Вт; SO8

119,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -30В; -5,1А; 2,5Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -30В; -5,1А; 2,5Вт; SO8

62,72 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 13 дюймів
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD